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50A 650V Trenchstop Bipolartransistor mit isoliertem Gate G50T65D TO-3PN

Unter Verwendung des proprietären Trench-Designs und der fortschrittlichen FS-Technologie von DongHai bietet der 650-V-FS-IGBT überlegene Schaltleistung, hohe Avalanche-Robustheit und einfachen Parallelbetrieb.
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50 A 650 V Trenchstop-Bipolartransistor mit isoliertem Gate

1 Beschreibung 


Mit dem proprietären Trench-Design und der fortschrittlichen FS-Technologie von DongHai bietet der 650-V-FS-IGBT überlegene Schaltleistungen, hohe Avalanche-Robustheit und einfachen Parallelbetrieb 


2 Funktionen 

● FS Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient 

● Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat), typ = 2,0 V bei IC = 50 A und Tj = 25 °C 

● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit 


3 Anwendungen 

● Schweißen 

● USV 

● Dreistufiger Wechselrichter



Vces Vcesat,Tj=25℃ Ic
650V 2,0 V 50A


herunterladen Gerätespezifikation DHG50T65D (TO-3PN).pdf

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