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25n10
Wxdh
To-220c
100V
25a
25A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwendeten fortschrittliches Gräbertechnologie-Design und boten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● schnelles Umschalten
● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 36 mΩ)
● Ladung mit niedriger Gate (typisch: 61NC)
● Niedrige Umkehrtransferkapazität (typisch: 84PF)
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Stromschaltanwendungen
● LED -Boost
● UPS -Stromversorgung
● Lastschalter
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
100V | 30m Ω | 25a |
25A 100V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET
1 Beschreibung
Diese N-Kanal-Verbesserung von VDMOSFETs verwendeten fortschrittliches Gräbertechnologie-Design und boten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
2 Merkmale
● schnelles Umschalten
● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 36 mΩ)
● Ladung mit niedriger Gate (typisch: 61NC)
● Niedrige Umkehrtransferkapazität (typisch: 84PF)
● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest
● 100% ΔVDS -Test
3 Anwendungen
● Stromschaltanwendungen
● LED -Boost
● UPS -Stromversorgung
● Lastschalter
VDSS | RDS (ON) (Typ) | AUSWEIS |
100V | 30m Ω | 25a |