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quantité: | |
25n10
Wxdh
À 220c
100V
25A
25a 100v Mode d'amélioration du canal N MOSFET
1 Description
Ces VDMOSFETs améliorés en n canal ont utilisé une conception avancée de technologie de tranchée, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
2 caractéristiques
● Commutation rapide
● Faible en résistance (RDSON≤36mΩ)
● Charge de porte basse (typique: 61NC)
● Capacités de transfert inverse faibles (typiques: 84pf)
● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion
● Test à 100% ΔVDS
3 applications
● Applications de commutation d'alimentation
● Boost LED
● Alimentation UPS
● Interrupteur de chargement
Vds | RDS (ON) (TYP) | IDENTIFIANT |
100V | 30mΩ | 25A |
25a 100v Mode d'amélioration du canal N MOSFET
1 Description
Ces VDMOSFETs améliorés en n canal ont utilisé une conception avancée de technologie de tranchée, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
2 caractéristiques
● Commutation rapide
● Faible en résistance (RDSON≤36mΩ)
● Charge de porte basse (typique: 61NC)
● Capacités de transfert inverse faibles (typiques: 84pf)
● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion
● Test à 100% ΔVDS
3 applications
● Applications de commutation d'alimentation
● Boost LED
● Alimentation UPS
● Interrupteur de chargement
Vds | RDS (ON) (TYP) | IDENTIFIANT |
100V | 30mΩ | 25A |