150 V/9,5 mΩ/52A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F

52A 150 V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-Verbesserungsmodus-LeistungsmOSFETs. Das Gebrauch von Advanced Graben Process Technology Design bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate -Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom

● schnelles Umschalten 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test

3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● UPS (uninterpulierbare Stromversorgungen)