150 V/9,5 mΩ/52 A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F

52 A 150 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus. Das fortschrittliche Design der Trench-Prozesstechnologie sorgte für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Hoher Lawinenstrom

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen

● Motorsteuerung und Antrieb 

● Batteriemanagement 

● USV (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)

Vces	RDS(ein) (TYP)	AUSWEIS
150V	9,5 mΩ	52A