150V/9.5mΩ/52A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F

52A 150V N-channel โหมดเพิ่มประสิทธิภาพ MOSFET พลังงาน

1 คำอธิบาย 

มอสเฟตกำลังโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel เหล่านี้ ใช้การออกแบบเทคโนโลยีกระบวนการร่องลึกขั้นสูง ให้ Rdson ที่ยอดเยี่ยมและค่าเกตต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ

● ความต้านทานต่ำ

● ค่าเกตต่ำ 

● กระแสหิมะถล่มสูง

● การสลับอย่างรวดเร็ว 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100%

3 การใช้งาน 

● แอปพลิเคชันการเปลี่ยนพลังงาน

● การควบคุมมอเตอร์และการขับเคลื่อน 

● การจัดการแบตเตอรี่ 

● UPS (เครื่องสำรองไฟ)

วีเซส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
150V	9.5mΩ	52เอ