150V/9.5MΩ/52A N-MOSFET DHS110N15F ถึง 220F

52A 150V N-Channel Enhancement Power MOSFET

1 คำอธิบาย 

โหมดการเพิ่มประสิทธิภาพ N-Channel เหล่านี้กำลัง MOSFETS ใช้การออกแบบเทคโนโลยีกระบวนการร่องลึกขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS 

2 คุณสมบัติ

●ความต้านทานต่ำ

●ประจุประตูต่ำ 

●กระแสหิมะถล่มสูง

●การสลับอย่างรวดเร็ว 

●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ

●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100% 

●การทดสอบ 100% ΔVDS

3 แอปพลิเคชัน 

●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน

●การควบคุมมอเตอร์และไดรฟ์ 

●การจัดการแบตเตอรี่ 

● UPS (แหล่งจ่ายไฟที่ไม่สามารถแทรกได้)