10 A 30 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese P-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Trench-Technologie und Design und sorgen für einen hervorragenden Rdson mit niedriger Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Schnelles Umschalten
● Geringer Widerstand
● Niedrige Gate-Ladung
● Geringe Rückübertragungskapazitäten
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● DC-DC-Wandler.
● Lastschalter
● Energieverwaltung
● PWM-Anwendungen
| VDSS |
RDS(ein) (TYP) |
AUSWEIS |
| -30V |
14mΩ |
-10A |