10A 30V P-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu P-kanalı gelişmiş vdmosfet'ler, gelişmiş hendek teknolojisi ve tasarımı kullanılarak, düşük kapı şarjıyla mükemmel Rdson sağlar. RoHS standardına uygundur.
2 Özellikler
● Hızlı geçiş
● Düşük direnç
● Düşük kapı ücreti
● Düşük ters transfer kapasitansları
● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi
● %100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● DC-DC Dönüştürücü.
● Yük Anahtarı
● Güç Yönetimi
● PWM Uygulamaları
| VDSS |
RDS(açık) (TİP) |
İD |
| -30V |
14mΩ |
-10A |