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105A 68V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS055N07 TO-220C

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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105A 68V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Synchrone Korrektur in SMPs 

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf

● Elektrowerkzeuge

● ups 

● Motorsteuerung

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
68 V 5,7 mΩ 105a


herunterladen Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+Datenblatt+v2.0 .pdf

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