ความพร้อม: | |
---|---|
ปริมาณ: | |
DHS055N07
wxdh
ถึง 220C
68V
105A
105A 68V N-Channel Enhance Mode Power MOSFET
1 คำอธิบาย
โหมดการปรับปรุง N-Channel Mosfets เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความต้านทานต่ำ
●ประจุประตูต่ำ
●กระแสหิมะถล่มสูง
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
3 แอปพลิเคชัน
●การแก้ไขแบบซิงโครนัสใน SMPS
●การสลับยากและวงจรความเร็วสูง
●เครื่องมือไฟฟ้า
● UPS
●การควบคุมมอเตอร์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
68V | 5.7mΩ | 105A |
105A 68V N-Channel Enhance Mode Power MOSFET
1 คำอธิบาย
โหมดการปรับปรุง N-Channel Mosfets เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความต้านทานต่ำ
●ประจุประตูต่ำ
●กระแสหิมะถล่มสูง
●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
3 แอปพลิเคชัน
●การแก้ไขแบบซิงโครนัสใน SMPS
●การสลับยากและวงจรความเร็วสูง
●เครื่องมือไฟฟ้า
● UPS
●การควบคุมมอเตอร์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
68V | 5.7mΩ | 105A |