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100V/2,2 mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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100 V/2,2 mΩ/180a N-Mosfet


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● Niedrig des Widerstands 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform


3 Anwendungen 

• Stromschaltanwendungen

• DC-DC-Konverter 

• Vollbrückenkontrolle

• Automobilanwendungen


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 2,2 MΩ 180a


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