100 V/2,2 mΩ/180 A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263

100 V/2,2 mΩ/180 A N-MOSFET

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform

3 Anwendungen 

• Leistungsschaltanwendungen

• DC-DC-Wandler 

• Volle Brückenkontrolle

• Automobilanwendungen

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
100V	2,2 mΩ	180A