未命名(1)(8) (1)
گیٹ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
آپ یہاں ہیں: گھر » مصنوعات » MOSFET » 12V-300V N MOS » 100V/2.2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263

لوڈ ہو رہا ہے

اس کے ساتھ اشتراک کریں:
فیس بک شیئرنگ بٹن
ٹویٹر شیئرنگ بٹن
لائن شیئرنگ بٹن
وی چیٹ شیئرنگ بٹن
لنکڈ شیئرنگ بٹن
پنٹیرسٹ شیئرنگ بٹن
واٹس ایپ شیئرنگ بٹن
اس شیئرنگ بٹن کو شیئر کریں۔

100V/2.2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263

یہ N-چینل انہانسمنٹ موڈ پاور ماسفیٹ نے جدید ٹرینچ ٹیکنالوجی ڈیزائن کا استعمال کیا، بہترین Rdson اور کم گیٹ چارج فراہم کیا۔ جو RoHS معیار کے مطابق ہے۔
دستیابی:
مقدار:
استفسار کریں۔ ٹوکری میں شامل کریں۔

100V/2.2mΩ/180A N-MOSFET


1 تفصیل 

یہ N-چینل انہانسمنٹ موڈ پاور ماسفیٹ نے جدید ٹرینچ ٹیکنالوجی ڈیزائن کا استعمال کیا، بہترین Rdson اور کم گیٹ چارج فراہم کیا۔ جو RoHS معیار کے مطابق ہے۔ 


2 خصوصیات 

● کم مزاحمت 

● کم ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس 

● 100% سنگل پلس برفانی توانائی ٹیسٹ 

● 100% ΔVDS ٹیسٹ 

● Pb مفت چڑھانا / ہالوجن فری / RoHS کے مطابق


3 درخواستیں 

• پاور سوئچنگ ایپلی کیشنز

• DC-DC کنورٹرز 

• مکمل پل کنٹرول

• آٹوموٹو ایپلی کیشنز


وی ڈی ایس ایس RDS(آن)(TYP) ID
100V 2.2 mΩ 180A


پچھلا: 
اگلا: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • ہمارے نیوز لیٹر کے لیے سائن اپ کریں۔
  • مستقبل کے لیے ہمارے نیوز لیٹر کے لیے سائن اپ کریں۔
    براہ راست اپنے ان باکس میں اپ ڈیٹس حاصل کرنے کے لیے
    جمع کروائیں۔
کاپی رائٹ © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd ٹیکنالوجی بذریعہ leadong.com