በር
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
እዚህ ነህ ቤት ፡ » ምርቶች » MOSFET » 50A 400V-1500V N MOS 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50T65D TO-3PN

በመጫን ላይ

አጋራ ለ፡
የፌስቡክ ማጋሪያ ቁልፍ
የትዊተር ማጋሪያ ቁልፍ
የመስመር ማጋሪያ አዝራር
የ wechat ማጋሪያ ቁልፍ
የlinkedin ማጋራት ቁልፍ
pinterest ማጋራት አዝራር
WhatsApp ማጋሪያ አዝራር
ይህን የማጋሪያ ቁልፍ አጋራ

50A 650V Trenchstop የታሸገ በር ባይፖላር ትራንዚስተር G50T65D TO-3PN

የዶንግሃይን የባለቤትነት ትሬንች ዲዛይን በመጠቀም እና የኤፍኤስ ቴክኖሎጂን በማስቀደም 650V FS IGBT የላቀ እና የመቀያየር አፈፃፀሞችን ያቀርባል፣ ከፍተኛ የበረዶ መጥፋት ቀላል ትይዩ ኦፕሬሽን
ተገኝነት
፡ ብዛት
  • G50T65D

  • WXDH

  • TO-3PN

  • G50T65D 技术规格书.pdf

  • 650 ቪ

  • 50A

50A 650V Trenchstop insulated በር ባይፖላር ትራንዚስተር

1 መግለጫ 


የዶንግሃይን የባለቤትነት ትሬንች ዲዛይን በመጠቀም እና የኤፍኤስ ቴክኖሎጂን በማስቀደም 650V FS IGBT የላቀ እና የመቀያየር አፈፃፀሞችን ያቀርባል ፣ ከፍተኛ የበረዶ ግግር ቀላል ትይዩ ኦፕሬሽን 


2 ባህሪያት 

● FS ትሬንች ቴክኖሎጂ ፣ አዎንታዊ የሙቀት መጠን 

● ዝቅተኛ ሙሌት ቮልቴጅ፡- VCE(sat)፣ typ = 2.0V @ IC =50A እና Tj =25°C 

● እጅግ በጣም የተሻሻለ የጎርፍ አደጋ 


3 መተግበሪያዎች 

● ብየዳ 

● UPS 

● የሶስት-ደረጃ ኢንቮርተር



ቪሴስ Vcesat፣Tj=25℃ አይክ
650 ቪ 2.0 ቪ 50A


ቀዳሚ፡ 
ቀጣይ፡- 
  • ለጋዜጣችን ይመዝገቡ
  • ለወደፊት ተዘጋጁ
    ለጋዜጣችን ይመዝገቡ በቀጥታ ወደ የገቢ መልእክት ሳጥንዎ ያግኙ