በር
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
እዚህ ነህ ቤት ፡ » ምርቶች » MOSFET » 50A 400V-1500V N MOS 650V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor G50T65D TO-3PN

በመጫን ላይ

አጋራ ለ፡
የፌስቡክ ማጋሪያ ቁልፍ
የትዊተር ማጋሪያ ቁልፍ
የመስመር ማጋሪያ አዝራር
wechat ማጋሪያ አዝራር
የlinkedin ማጋሪያ ቁልፍ
pinterest ማጋራት አዝራር
WhatsApp ማጋሪያ አዝራር
ይህን የማጋሪያ ቁልፍ አጋራ

50A 650V Trenchstop የታሸገ በር ባይፖላር ትራንዚስተር G50T65D TO-3PN

የዶንግሃይን የባለቤትነት ትሬንች ዲዛይን በመጠቀም እና የኤፍኤስ ቴክኖሎጂን በማስቀደም 650V FS IGBT የላቀ እና የመቀያየር አፈፃፀሞችን ያቀርባል፣ ከፍተኛ የበረዶ መጥፋት ቀላል ትይዩ ኦፕሬሽን
ተገኝነት
፡ ብዛት
  • G50T65D

  • WXDH

  • TO-3PN

  • G50T65D 技术规格书.pdf

  • 650 ቪ

  • 50A

50A 650V Trenchstop insulated በር ባይፖላር ትራንዚስተር

1 መግለጫ 


የዶንግሃይን የባለቤትነት ትሬንች ዲዛይን በመጠቀም እና የኤፍኤስ ቴክኖሎጂን በማስቀደም 650V FS IGBT የላቀ እና የመቀያየር አፈፃፀሞችን ያቀርባል ፣ ከፍተኛ የበረዶ ግግር ቀላል ትይዩ ኦፕሬሽን 


2 ባህሪያት 

● FS ትሬንች ቴክኖሎጂ ፣ አዎንታዊ የሙቀት መጠን 

● ዝቅተኛ ሙሌት ቮልቴጅ፡- VCE(sat)፣ typ = 2.0V @ IC =50A እና Tj =25°C 

● እጅግ በጣም የተሻሻለ የጎርፍ አደጋ 


3 መተግበሪያዎች 

● ብየዳ 

● UPS 

● የሶስት-ደረጃ ኢንቮርተር



ቪሴስ Vcesat፣Tj=25℃ አይክ
650 ቪ 2.0 ቪ 50A


ቀዳሚ፡ 
ቀጣይ፡- 
  • ለጋዜጣችን ይመዝገቡ
  • ለወደፊት ተዘጋጁ
    ለጋዜጣችን ይመዝገቡ በቀጥታ ወደ የገቢ መልእክት ሳጥንዎ ያግኙ