Tính khả dụng: | |
---|---|
Số lượng: | |
MUR1620CT
WXDH
TO-220C
200v
16a
16A 200V DIODE Phục hồi nhanh
1 mô tả
16a, 200V điốt siêu nhanh, chúng có một mức giảm điện áp thấp và là bằng phẳng, silicon nitride thụ động, được cấy ghép ion, cấu trúc epiticular. Các thiết bị này được dự định để sử dụng làm điốt và kẹp năng lượng và bộ chỉnh lưu trong một loạt các nguồn cung cấp năng lượng và các ứng dụng chuyển đổi năng lượng khác. Điện tích được lưu trữ thấp và phục hồi cực nhanh của chúng với các đặc tính phục hồi mềm giảm thiểu tiếng vang và nhiễu điện trong nhiều mạch chuyển đổi năng lượng, do đó giảm mất điện trong bóng bán dẫn chuyển đổi sang-220F cung cấp điện áp cách điện ở mức 2000V RMS từ cả ba đầu cuối với hệ thống nhiệt bên ngoài.
2 tính năng
Mất điện thấp,
Điện áp chuyển tiếp thấp hiệu quả cao,
Khả năng tăng khả năng tăng cao hiện tại
Thời gian phục hồi siêu nhanh
điện áp cao
3 ứng dụng
Chuyển đổi nguồn điện
Mạch chuyển đổi năng lượng
Mục đích chung
Vbr | VF (đơn) (tối đa) | If (av) (đơn) |
200v | 0,98V | 8a |
16A 200V DIODE Phục hồi nhanh
1 mô tả
16a, 200V điốt siêu nhanh, chúng có một mức giảm điện áp thấp và là bằng phẳng, silicon nitride thụ động, được cấy ghép ion, cấu trúc epiticular. Các thiết bị này được dự định để sử dụng làm điốt và kẹp năng lượng và bộ chỉnh lưu trong một loạt các nguồn cung cấp năng lượng và các ứng dụng chuyển đổi năng lượng khác. Điện tích được lưu trữ thấp và phục hồi cực nhanh của chúng với các đặc tính phục hồi mềm giảm thiểu tiếng vang và nhiễu điện trong nhiều mạch chuyển đổi năng lượng, do đó giảm mất điện trong bóng bán dẫn chuyển đổi sang-220F cung cấp điện áp cách điện ở mức 2000V RMS từ cả ba đầu cuối với hệ thống nhiệt bên ngoài.
2 tính năng
Mất điện thấp,
Điện áp chuyển tiếp thấp hiệu quả cao,
Khả năng tăng khả năng tăng cao hiện tại
Thời gian phục hồi siêu nhanh
điện áp cao
3 ứng dụng
Chuyển đổi nguồn điện
Mạch chuyển đổi năng lượng
Mục đích chung
Vbr | VF (đơn) (tối đa) | If (av) (đơn) |
200v | 0,98V | 8a |