Tilgængelighed: | |
---|---|
Mængde: | |
Mur1620ct
WXDH
TO-220C
200v
16a
16A 200V hurtig gendannelsesdiode
1 Beskrivelse
16a, 200V ultrahastede dioder De har et lavt fremadrettet spændingsfald og er af plan, siliciumnitrid-passiveret, ionimplanteret, epitaksial konstruktion. Disse enheder er beregnet til brug som energestyring/klemmedioder og ensretter i en række skifte strømforsyninger og andre strømafbrydere applikationer. Deres lave lagrede ladning og ultrahastiske gendannelse med bløde genvindingskarakteristika minimerer ringning og elektrisk støj i mange strømafbryderkredsløb, hvilket reducerer effekttab i skifttransistoren TO-220F giver isoleringsspænding klassificeret til 2000V RMS fra alle tre terminaler til eksterne varmebilleder.
2 funktioner
Lavt effekttab,
høj effektivitet lav fremadspænding,
Høj strømkapacitet Høj overspændingskapacitet
Super hurtig gendannelsestider
Højspænding
3 applikationer
Skift strømforsyning
Strømafbryderkredsløb
Generelt formål
VBR | Vf (single) (max) | Hvis (av) (single) |
200v | 0,98V | 8a |
16A 200V hurtig gendannelsesdiode
1 Beskrivelse
16a, 200V ultrahastede dioder De har et lavt fremadrettet spændingsfald og er af plan, siliciumnitrid-passiveret, ionimplanteret, epitaksial konstruktion. Disse enheder er beregnet til brug som energestyring/klemmedioder og ensretter i en række skifte strømforsyninger og andre strømafbrydere applikationer. Deres lave lagrede ladning og ultrahastiske gendannelse med bløde genvindingskarakteristika minimerer ringning og elektrisk støj i mange strømafbryderkredsløb, hvilket reducerer effekttab i skifttransistoren TO-220F giver isoleringsspænding klassificeret til 2000V RMS fra alle tre terminaler til eksterne varmebilleder.
2 funktioner
Lavt effekttab,
høj effektivitet lav fremadspænding,
Høj strømkapacitet Høj overspændingskapacitet
Super hurtig gendannelsestider
Højspænding
3 applikationer
Skift strømforsyning
Strømafbryderkredsløb
Generelt formål
VBR | Vf (single) (max) | Hvis (av) (single) |
200v | 0,98V | 8a |