ရရှိနိုင်: | |
---|---|
အရေအတွက်: | |
Murr160CT
wxdh
to-220c
200v
16a
16a 200v မြန်မြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေး diode
1 ဖော်ပြချက်
16a, 200V ultrafast diodes တွင်သူတို့တွင်ရှေ့သို့ voltage drop နှင့် planar, silicon nitride passivated, ion-implanted, explanted, ဤကိရိယာများသည်စွမ်းအင်စတီယာရင်, ညှပ်ခြင်းနှင့် RectifiFifiies တို့အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြည့်ဆည်းပေးသည့်ပါဝါခလုတ်များနှင့်အခြားပါဝါခလုတ်များအဆိုများတွင်အသုံးပြုရန်ရည်ရွယ်သည်။ နူးညံ့သောပြန်လည်ထူထောင်ရေးဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်အတူသူတို့၏အနိမ့်သိုလှောင်မှုနှင့် Ultrafast Recovery တို့ကအနိမ့်ဆုံးပြန်လည်ထူထောင်ရေးကိုလျှော့ချပြီးလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုလျှော့ချပြီး Terminal Transper Things Things-220F မှပြင်ပ hodsink တွင် elation ကိုလျှော့ချပေးသည်။
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
စွမ်းအင်နိမ့်ကျခြင်း,
မြင့်မားသော forward sourception ဗို့အား,
မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းရည်မြင့်တက်နိုင်စွမ်း
စူပါမြန်နှုန်းပြန်လည်ထူထောင်ရေးအကြိမ်
မြင့်ဗို့လုပ်ငန်း
3
ပါဝါထောက်ပံ့ရေး switching
ပါဝါ switching circuits
အထွေထွေရည်ရွယ်ချက်
VBR | VF (တစ်ခုတည်း) (max) | IF (av) (တစ်ခုတည်း) |
200v | 0.98V | 8a |
16a 200v မြန်မြန်ပြန်လည်ထူထောင်ရေး diode
1 ဖော်ပြချက်
16a, 200V ultrafast diodes တွင်သူတို့တွင်ရှေ့သို့ voltage drop နှင့် planar, silicon nitride passivated, ion-implanted, explanted, ဤကိရိယာများသည်စွမ်းအင်စတီယာရင်, ညှပ်ခြင်းနှင့် RectifiFifiies တို့အားလျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြည့်ဆည်းပေးသည့်ပါဝါခလုတ်များနှင့်အခြားပါဝါခလုတ်များအဆိုများတွင်အသုံးပြုရန်ရည်ရွယ်သည်။ နူးညံ့သောပြန်လည်ထူထောင်ရေးဝိသေသလက္ခဏာများနှင့်အတူသူတို့၏အနိမ့်သိုလှောင်မှုနှင့် Ultrafast Recovery တို့ကအနိမ့်ဆုံးပြန်လည်ထူထောင်ရေးကိုလျှော့ချပြီးလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုတွင်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်မှုများကိုလျှော့ချပြီး Terminal Transper Things Things-220F မှပြင်ပ hodsink တွင် elation ကိုလျှော့ချပေးသည်။
အင်္ဂါရပ် 2 ခု
စွမ်းအင်နိမ့်ကျခြင်း,
မြင့်မားသော forward sourception ဗို့အား,
မြင့်မားသောလက်ရှိစွမ်းရည်မြင့်တက်နိုင်စွမ်း
စူပါမြန်နှုန်းပြန်လည်ထူထောင်ရေးအကြိမ်
မြင့်ဗို့လုပ်ငန်း
3
ပါဝါထောက်ပံ့ရေး switching
ပါဝါ switching circuits
အထွေထွေရည်ရွယ်ချက်
VBR | VF (တစ်ခုတည်း) (max) | IF (av) (တစ်ခုတည်း) |
200v | 0.98V | 8a |