50A 30V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DHD50N03 TO-252B

50A 30V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu N-kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler Gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullanılmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlanmıştır. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Düşük Anahtarlama Kaybı 

● Düşük AÇIK Direnç (Rdson≤11mΩ) 

● Düşük Geçit Yükü (Tip: 22nC) 

● Düşük Ters Transfer Kapasitesi (Tip: 130pF) 

● %100 Tek Darbeli Çığ Enerjisi Testi 

● %100 ΔVDS Testi 

3 Uygulama 

● Güç anahtarlama uygulamaları 

● Sert Anahtarlamalı ve Yüksek Frekanslı Devreler 

● Elektrikli Aletler 

● Otomotiv Elektroniği 

● Kesintisiz Güç Kaynağı.

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
30V	9mΩ	50A