可用性: | |
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数量: | |
DHD50N03
WXDH
TO-252B
30V
50a
50A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1説明
これらのNチャンネル強化VDMOSFETは、高度なトレンチテクノロジーの設計を使用し、優れたRDSONと低ゲートチャージを提供しました。 ROHS標準と一致しています。
2つの機能
●スイッチング損失が低い
●抵抗が少ない(rdson≤11mΩ)
●低ゲートチャージ(型:22NC)
●低い逆転送容量(typ:130pf)
●100%単一パルス雪崩エネルギーテスト
●100%ΔVDSテスト
3つのアプリケーション
●電源スイッチングアプリケーション
●ハードスイッチと高周波回路
●電動ツール
●自動車電子機器
●無停電電源。
VDSS | rds(on)(typ) | id |
30V | 9mΩ | 50a |
50A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1説明
これらのNチャンネル強化VDMOSFETは、高度なトレンチテクノロジーの設計を使用し、優れたRDSONと低ゲートチャージを提供しました。 ROHS標準と一致しています。
2つの機能
●スイッチング損失が低い
●抵抗が少ない(rdson≤11mΩ)
●低ゲートチャージ(型:22NC)
●低い逆転送容量(typ:130pf)
●100%単一パルス雪崩エネルギーテスト
●100%ΔVDSテスト
3つのアプリケーション
●電源スイッチングアプリケーション
●ハードスイッチと高周波回路
●電動ツール
●自動車電子機器
●無停電電源。
VDSS | rds(on)(typ) | id |
30V | 9mΩ | 50a |