4A 650V N-சேனல் மேம்படுத்தல் பயன்முறை பவர் MOSFET B4N65 TO-251B

4A 650V N-சேனல் மேம்படுத்தல் பயன்முறை பவர் MOSFET

1 விளக்கம்

இந்த N-சேனல் மேம்படுத்தப்பட்ட vdmosfets, கடத்தல் இழப்பைக் குறைக்கும், மாறுதல் செயல்திறனை மேம்படுத்தும் மற்றும் பனிச்சரிவு ஆற்றலை மேம்படுத்தும் சுய-சீரமைக்கப்பட்ட பிளானர் தொழில்நுட்பத்தால் பெறப்படுகிறது. இது RoHS தரத்துடன் ஒத்துப்போகிறது. 

2 அம்சங்கள்

● வேகமாக மாறுதல்

● ESD மேம்படுத்தப்பட்ட திறன் 

● குறைந்த எதிர்ப்பு (Rdson≤2.8Ω) 

● குறைந்த கேட் கட்டணம் (வகை: 14.5nC) 

● குறைந்த தலைகீழ் பரிமாற்ற கொள்ளளவு (வகை: 3.5pF) 

● 100% ஒற்றை துடிப்பு பனிச்சரிவு ஆற்றல் சோதனை

● 100% ΔVDS சோதனை

3 விண்ணப்பங்கள் 

● சிஸ்டம் மினியேட்டரைசேஷன் மற்றும் அதிக செயல்திறனுக்காக பல்வேறு பவர் ஸ்விட்சிங் சர்க்யூட்டில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. 

● எலக்ட்ரான் பேலஸ்ட் மற்றும் அடாப்டரின் பவர் சுவிட்ச் சர்க்யூட்.