N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 80A 85V DHS065N85 TO-220C
Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad Splite Gate Trench-teknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad Splite Gate Trench-teknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
2 funktioner
● Snabbbrytning
● Låg motstånd
● Låg grindavgift
● Hög lavinström
● Låg omvänd överföringskapacitanser
● 100% enkelpuls snöskredsenergitest
● 100% ΔVDS -test
3 applikationer
● Synkron rättelse i SMPS
● Hård växling och höghastighetskrets
● Strömverktyg
● UPS
● Motorstyrning
Vds
Rds (on) (typ)
Id
85V
6.5mΩ
100a
N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 80A 85V
1 Beskrivning
Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad Splite Gate Trench-teknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden.
