N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B

N-kanalförbättringsläge Power MOSFET 68A 100V

1 Beskrivning 

Dessa N-kanalförbättringsläge Power MOSFETS använde avancerad diketeknikdesign, gav utmärkt RDSON och låg grindladdning. Som överensstämmer med ROHS -standarden. 

2 funktioner 

● Låg motstånd

● Låg grindavgift 

● Snabbbrytning 

● Låg omvänd överföringskapacitanser

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest

● 100% ΔVDS -test 

3 applikationer 

● Power Switching -applikationer 

● Inverterhanteringssystem

● Elektriska verktyg

● Automotive Electronics