未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ste tukaj: Doma » Izdelki » Mosfet » 12V-300V N MO » Način izboljšanja n-kanala Power MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B

nalaganje

Delite:
Gumb za skupno rabo Facebooka
Gumb za skupno rabo Twitterja
Gumb za skupno rabo vrstic
Gumb za skupno rabo WeChat
Gumb za skupno rabo LinkedIn
Gumb za skupno rabo Pinterest
Gumb za skupno rabo WhatsApp
Gumb za skupno rabo

Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B

Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET 68A 100V
Razpoložljivost:
Količina:
Poizvedite Dodaj v košarico

Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET 68A 100V


1 opis 

Ta način izboljšanja N-kanalov Power MOSFETS je uporabljal napredno zasnovo tehnologije jarkov, zagotavljal odlično RDSON in nizko polnjenje vrat. Ki ustreza standardu ROHS. 


2 značilnosti 

● nizko odpornost

● Nizka naboj vrat 

● Hitro preklapljanje 

● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom

● 100% enojni preskus energije z enim impulzom

● 100% ΔVDS test 


3 aplikacije 

● Aplikacije za preklop napajanja 

● Sistem upravljanja pretvornikov

● Električna orodja

● Avtomobilska elektronika


VDS RDS (ON) (Typ) Id
100V 11mΩ 68a


Prejšnji: 
Naslednji: 
Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET 68A 100V
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naše glasilo
  • Pripravite se na prihodnjo
    prijavo na naše glasilo, da dobite posodobitve naravnost v mapo »Prejeto«
    Oddaj
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologija LEADENG.COM