60A 68V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivning
Dessa kraftmofetter i N-kanals förbättringsläge använde avancerad trench-teknikdesign, vilket gav utmärkt Rdson och låg grindladdning. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Lågt motstånd
● Låg grindladdning
● Snabb växling
● Låga omvända överföringskapacitanser
● 100 % enkelpuls lavinenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Applikationer
● Strömväxlingsapplikationer
● DC-DC-omvandlare
● Full kontroll över bryggan
| VDSS |
RDS(på)(TYP) |
ID |
| 68V |
10,5 mΩ |
60A |