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MUR40FU60NCT
Wxdh
TO-3PN
600V
40A
Diodo de recuperação rápida 40A 600V
1 Descrição
40A, diodos ultra-rápidos de 600V, eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial de nitreto de silício, compatível com nitreto de silício, implantado em íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retifificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra -rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação
2 recursos
Baixa perda de energia,
Tensão de alta eficiência de alta eficiência,
Capacidade de alta capacidade de alta capacidade
Tempos de recuperação super rápidos
Alta tensão
3 aplicações
Switching Power Supply
Circuits Circuitos de comutação de energia
Objetivo geral
Vbr | VF (único) (max) | Se (av) (único) |
600V | 2.6V | 20a |
Diodo de recuperação rápida 40A 600V
1 Descrição
40A, diodos ultra-rápidos de 600V, eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial de nitreto de silício, compatível com nitreto de silício, implantado em íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retifificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra -rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação
2 recursos
Baixa perda de energia,
Tensão de alta eficiência de alta eficiência,
Capacidade de alta capacidade de alta capacidade
Tempos de recuperação super rápidos
Alta tensão
3 aplicações
Switching Power Supply
Circuits Circuitos de comutação de energia
Objetivo geral
Vbr | VF (único) (max) | Se (av) (único) |
600V | 2.6V | 20a |