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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Diodo de recuperação rápida 40A 600V MUR40FU60NCT TO-3PN

40A, diodos ultra-rápidos de 600V, eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial de nitreto de silício, compatível com nitreto de silício, implantado em íons.
Disponibilidade:
Quantidade:

Diodo de recuperação rápida 40A 600V


1 Descrição

40A, diodos ultra-rápidos de 600V, eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial de nitreto de silício, compatível com nitreto de silício, implantado em íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retifificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra -rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação 


2 recursos 

 Baixa perda de energia, 

 Tensão de alta eficiência de alta eficiência, 

 Capacidade de alta capacidade de alta capacidade 

 Tempos de recuperação super rápidos 

 Alta tensão 


3 aplicações 

 Switching Power Supply 

Circuits Circuitos de comutação de energia 

 Objetivo geral


Vbr VF (único) (max) Se (av) (único)
600V 2.6V 20a



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