Diodabilidade: | |
---|---|
Quantidade: | |
MUR8060DCT
Wxdh
TO-3PN
600V
80a
Diodo de recuperação rápido 80a 600V
1 Descrição
80A, 600V Diodos ultra-rápidos Eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial passivada de nitreto de silício, implantada por íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retifificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra -rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação
2 recursos
Baixa perda de energia,
Tensão de alta eficiência de alta eficiência,
Capacidade de alta capacidade de alta capacidade
Tempos de recuperação super rápidos
Alta tensão
3 aplicações
Switching Power Supply
Circuits Circuitos de comutação de energia
Objetivo geral
Vbr | VF (único) (max) | Se (av) (único) |
600V | 1.6V | 40A |
Diodo de recuperação rápido 80a 600V
1 Descrição
80A, 600V Diodos ultra-rápidos Eles têm uma queda de tensão baixa e são de construção epitaxial passivada de nitreto de silício, implantada por íons. Esses dispositivos destinam -se ao uso como diodos e retifificadores de direção/fixação de energia em uma variedade de fontes de alimentação de comutação e outras aplicações de comutação de energia. Sua carga baixa armazenada e recuperação ultra -rápida com características de recuperação suave minimizam o toque e o ruído elétrico em muitos circuitos de comutação de energia, reduzindo assim a perda de energia no transistor de comutação
2 recursos
Baixa perda de energia,
Tensão de alta eficiência de alta eficiência,
Capacidade de alta capacidade de alta capacidade
Tempos de recuperação super rápidos
Alta tensão
3 aplicações
Switching Power Supply
Circuits Circuitos de comutação de energia
Objetivo geral
Vbr | VF (único) (max) | Se (av) (único) |
600V | 1.6V | 40A |