ပါဝါလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများအရ Insulative Gate Babet Bipolar Transistors (IGBTS) သည်စက်မှုဇုန်နှင့်ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များမှလျှပ်စစ်မော်တော်ယာဉ်များ (EVs) နှင့်မြန်နှုန်းမြင့်ရထားများအထိလျှပ်စစ်ဓာတ်အားစီးဆင်းမှုစီးဆင်းမှုကိုထိန်းချုပ်သောမရှိမဖြစ်လိုအပ်သောအစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ 
လျှပ်စစ်လျှပ်စစ်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြည့်ဆည်းဖွယ်ကောင်းသောဂိတ်တပ်မတော် Transistor (IGBT) သည်လွန်ခဲ့သောဆယ်စုနှစ်အနည်းငယ်အတွင်းသွဇာအရှိဆုံးအစိတ်အပိုင်းများအနက်မှတစ်ခုဖြစ်သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ 
လျှောက်လွှာအမျိုးမျိုးအတွက်ပိုမိုထိရောက်သော, ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့်ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသည့်အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သော Power Electronics of Electronics ၏ကမ္ဘာသည်ကြီးမားသောတိုးတက်မှုများကိုတွေ့မြင်ခဲ့ရသည်။ ဤနယ်ပယ်တွင်ထိုကဲ့သို့သောဆန်းသစ်တီထွင်မှုတစ်ခုမှာ Trenchstop Insultol Insuated Gate Transistor (Igbt) ဖြစ်သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ 
Power Electronics သည်ခေတ်မီလျှပ်စစ်စနစ်များ၏ကျောရိုးဖြစ်သည်။ application အမျိုးမျိုးအတွက်လျှပ်စစ်စွမ်းအင်ကိုပြောင်းလဲခြင်း,
ပိုပြီးဖတ်ပါ 
စက်မှုစက်ယန္တရားများ, ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များ, လျှပ်စစ်ယာဉ်များ (EVS) နှင့်အိမ်အသုံးအဆောင်များအပါအ 0 င် applications အမျိုးမျိုးတွင်ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင်အရေးပါသည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်းစနစ်များသည်ထိရောက်သောဖြန့်ဖြူးခြင်းနှင့်လျှပ်စစ်စွမ်းအင်အသုံးပြုခြင်းအတွက်အရေးပါသောအခန်းကဏ် play မှပါ 0 င်သည်။
ပိုပြီးဖတ်ပါ 
Power Electronics သည်ခေတ်မီနည်းပညာ၏အရေးပါသောရှုထောင့်တစ်ခုဖြစ်သည်။ စက်မှုစက်ယန္တရားများ, ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များ,
ပိုပြီးဖတ်ပါ 
