လျှပ်စစ်လျှပ်စစ်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြည့်ဆည်းဖွယ်ကောင်းသောဂိတ်တပ်မတော် Transistor (IGBT) သည်လွန်ခဲ့သောဆယ်စုနှစ်အနည်းငယ်အတွင်းသွဇာအရှိဆုံးအစိတ်အပိုင်းများအနက်မှတစ်ခုဖြစ်သည်။ High-voltage စွမ်းရည်နှင့် Easy Gate Control အကြားကွာဟချက်ကိုပေါင်းကူးပေးသည့်အနေဖြင့် Igbt များသည်အင်ဂျင်နီယာများသည်အင်ဂျင်နီယာများသည်စွမ်းအင်ကူးပြောင်းခြင်းနှင့်ထိန်းချုပ်ခြင်းအတွက်စနစ်များကိုဒီဇိုင်းဆွဲခြင်းနှင့်တည်ဆောက်ပုံကိုတော်လှန်ပြောင်းလဲခဲ့သည်။ စက်မှုဇုန်များမှလျှပ်စစ်မော်တော်ယာဉ်များသို့လျှပ်စစ်စီးရီးများ, Igbt 's ရှိနေခြင်းသည်နေရာတိုင်းတွင်ရှိသည်။ သို့သော် Semiconductor Technologies များအားလုံးကဲ့သို့ Igbt များသည်အပြည့်အဝဖွဲ့စည်းရန်မရောက်ရှိခဲ့ကြပါ။
ဤဆောင်းပါးသည်အစောပိုင်းအဆင့်မှအစောပိုင်းအဆင့်မှအစောပိုင်းအဆင့်မှဖြတ်တောက်ခြင်း - အစွန်းမြင့်မြန်နှုန်း module များသို့လေ့လာစူးစမ်းလေ့လာခဲ့သည်။ ၎င်း၏တိုးတက်မှုများကိုနားလည်ခြင်းအားဖြင့်ကျွန်ုပ်တို့သည်ယနေ့စွမ်းအင်စနစ်များတွင်၎င်း၏အခန်းကဏ် for ကိုပိုမိုကောင်းမွန်စွာတန်ဖိုးထားနိုင်ပြီးအနာဂတ်ကိုရှာဖွေတွေ့ရှိရန်ဆန်းသစ်တီထွင်မှုကိုပိုမိုကောင်းမွန်သောတန်ဖိုးထားနိုင်သည်။
Igbt ဆိုတာဘာလဲ။
၎င်း၏ဆင့်ကဲဖြစ်စဉ်သို့မထွက်ခွာမီက igbt ဆိုတာကိုအတိုချုပ်နားလည်ဖို့အရေးကြီးတယ်။ Insulated Gate Babolar Transistor သည် Semiconductor Transpories ၏အကောင်းဆုံး attribute များကိုပေါင်းစပ်ထားသော Semiconductor ကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။
ဒီ hybrid ဒီဇိုင်းကိုခွင့်ပြုပါတယ် အားနည်းချက်နှင့်လျှပ်စစ်အပလီကေးရှင်းများတွင်လိုအပ်သောကြံ့ခိုင်မှုနှင့်လျှော့ချရေးဆုံးရှုံးမှုများကိုဖြည့်စွက်နေစဉ်ဗို့အားအချက်ပြများကို အသုံးပြု. igbts ကို လွယ်ကူစွာပိတ်ထားပါ။ ဤသဘောသဘာဝအရ IGBTS သည်မော်တာ drives များ, လျှပ်စစ်ယာဉ်များ (EVs များ (EVs) ကဲ့သို့သောထိရောက်သောစွမ်းအင်ထိန်းချုပ်မှုလိုအပ်သည့်စနစ်များတွင်ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုသည်။
ပထမမျိုးဆက် - ဖောင်ဒေးရှင်းကိုတင်ခြင်း
ပထမဆုံးစီးပွားဖြစ် IGBTS သည် 1980 ပြည့်လွန်နှစ်များအစောပိုင်းတွင်တွေ့ရသည်။ ထိုအချိန်ကအာဏာကိုအီလက်ထရောနစ်အင်ဂျင်နီယာများသည်ထိန်းချုပ်ရန်ခက်ခဲသော Bjts ထက်ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်နိုင်သည့်ကိရိယာကိုရှာဖွေနေသည် Mosfeets ။ မြင့်မားသော voltages တွင် conduction ဆုံးရှုံးမှုရှိသည့် ပထမမျိုးဆက်အမတ်တော်တို့ကို BJts နှင့် Mosfets မှလက်ရှိလုပ်ကြံလုပ်ကြံထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များကို အသုံးပြု. အခြေခံအားဖြင့်တည်ဆောက်ခဲ့သော BJTS နှင့် Mosfets တို့မှပြုလုပ်သောစွမ်းဆောင်နိုင်မှုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည် (600V-1200V) ရှိသော်လည်း switching speeds သည်အလွန်နှေးကွေးသည်။
ပထမမျိုးဆက် IGBTS နှင့်အတူအကြီးမားဆုံးပြ issues နာတစ်ခုမှာ Igbt သည်အဖျက်ကျသောတိုက်နယ်တစ်ခုသို့ 0 င် ရောက်. မအောင်မြင်နိုင်သည့်အခြေအနေဖြစ်သည်။ ဤပြ problem နာသည်အရေးပါသောစနစ်များကိုအစောပိုင်းမွေးစားခြင်းနှင့်အင်ဂျင်နီယာများတွင်စက်ကိရိယာကိုကာကွယ်ရန်ပြင်ပ circuitry ပါ 0 င်ရမည်။ ထို့အပြင် switching speeds သည် Power Mosfets နှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင်အလွန်နှေးကွေးသည်။
ဤအားနည်းချက်များရှိသော်လည်း EGBT ၏မော်တာ drives များကဲ့သို့သောကြိမ်နှုန်းနိမ့်ဆုံးစွမ်းအင်သုံးအသုံးချပရိုဂရမ်များ၌ EGBT ၏နေရာကိုသေချာစေရန်လွယ်ကူသောဗို့အားအရ 0 န်ဆောင်မှုပေးခြင်းနှင့်မြင့်မားသောဗို့အားဖြင့်ကိုင်တွယ်မှု၏အကျိုးကျေးဇူးများမှာလုံလောက်သည်။
ဒုတိယမျိုးဆက် - တိုးတက်လာသောကြမ်းတမ်းခြင်းနှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှု
1990 ပြည့်လွန်နှစ်များအစောပိုင်းတွင်ဒုတိယမျိုးဆက်များကမတူကွဲပြားသော IGBTS ဈေးကွက်သို့ဝင်ရောက်ခဲ့ကြသည်။ ဤကိရိယာများသည်တံခါးပေါက်များပေါ်ရှိအကာအကွယ်အပါအ 0 င်သူတို့၏ယခင်ကသူတို့၏ယခင်ကပြ concerns နာများကိုကိုင်တွယ်ဖြေရှင်းခဲ့သည်။ ထုတ်လုပ်သူများက IGBT ၏အတွင်းပိုင်းအလွှာများ၏ဒီဇိုင်းကိုမလိုချင်သောကပ်ပါးပိုးသက်ရောက်မှုများကိုလျှော့ချရန်နှင့်လုံခြုံစိတ်ချရသောလည်ပတ်မှုဒေသများတိုးတက်စေရန်အတွက် IGBT ၏အလွှာများ၏ဒီဇိုင်းကိုတိုးတက်အောင်ပြုလုပ်ခဲ့သည်။
ဒီမျိုးဆက်သစ်၏ဖွဲ့စည်းပုံသည် Punch-tt (PT) မှ Punch-tt (PT) မှလာကြတယ်။ NPT IGBTS သည်ပိုမိုကောင်းမွန်သောတိုက်နယ်စွမ်းရည်များ, အပူတည်ငြိမ်မှုကိုတိုးတက်စေပြီးပိုမိုရိုးရှင်းသောလုပ်ငန်းစဉ်များကိုအသုံးပြုပြီးပိုမိုလွယ်ကူအောင်လုပ်သည်။ သူတို့သည်အပူချိန်အပြောင်းအလဲများကိုပိုမိုသည်းခံလာပြီးကြမ်းတမ်းသောပတ်ဝန်းကျင်တွင်ပိုမိုယုံကြည်စိတ်ချရစေသည်။
နောက်ထပ်သိသာထင်ရှားသည့်တိုးတက်မှုတစ်ခုမှာ switch စဉ်အတွင်းအမြီးရေစီးကြောင်းများကျဆင်းခြင်းဖြစ်သည်။ ပထမမျိုးဆက်တွင်ပိုလျှံသောသယ်ဆောင်သူများ၏ပြန်လည်တောင်းခံမှုသည်အမြီးရေစီးကြောင်းများများစေပြီးဆုံးရှုံးမှုများနှင့်ထိရောက်မှုကိုပြောင်းလဲရန် ဦး ဆောင်နေသည်။ ပိုမိုကောင်းမွန်သောသက်တမ်းကိုထိန်းချုပ်သည့်နည်းစနစ်များဖြင့်ဒုတိယမျိုးဆက် IGBTS သည်ဤဆုံးရှုံးမှုများကိုလျှော့ချပြီးယခင်ကထက်ပိုမိုမြန်ဆန်သောခလုတ်ကိုခွင့်ပြုခဲ့သည်။
ရလဒ်အနေဖြင့်ဒုတိယမျိုးဆက် IGBTS သည်မော်တာထိန်းချုပ်မှုစနစ်များ, လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးပစ္စည်းများနှင့်ဓာတ်လှေကားများရှိစွမ်းအင်ချွေတာစနစ်များတွင်ပိုမိုကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုသည်။
တတိယမျိုးဆက် - မြန်နှုန်းနှင့်ထိရောက်မှုအတွက်ပိုကောင်းအောင်ပြုလုပ်ခြင်း
တတိယမျိုးဆက်အကတ်အရင်းများသည် 1990 ပြည့်လွန်နှစ်များနှောင်းပိုင်းနှင့် 2000 ပြည့်လွန်နှစ်များအစောပိုင်းတွင်တီထွင်ခဲ့ပြီးနည်းပညာ၏ဆင့်ကဲဖြစ်စဉ်တွင်အဓိကအလှည့်အပြောင်းတစ်ခုအဖြစ်မှတ်သားထားသည်။ ဤကိရိယာများသည်ပိုမိုမြန်ဆန်သော switching နှင့်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက်ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်နိုင်ပြီးအလယ်အလတ် switching ကြိမ်နှုန်းများအပါအ 0 င်ကျယ်ပြန့်သော application များနှင့်သင့်လျော်သည်။
အထင်ရှားဆုံးတိုးတက်မှုများထဲမှတစ်ခုမှာကွင်းဆင်းလေ့လာမှု (FS) နည်းပညာကိုအသုံးပြုခြင်းဖြစ်သည်။ ဤနည်းသည်အလှည့်အပြောင်းအပြည့်အစုံကိုလျော့နည်းစေပြီးအမြင့် 0 င်သောလေကြောင်းလိုင်းများကိုလျော့နည်းစေပြီး voltage ပိတ်ဆို့ခြင်းစွမ်းရည်ကိုလျော့နည်းစေသည်။
Field Stop Stop IGBTS သည်အကောင်းဆုံးသောကမ္ဘာနှစ်ခုလုံး၏အကောင်းဆုံးကိုကမ်းလှမ်းခဲ့သည်။ သူတို့ကမြင့်မားသောဗို့အားနှင့်လက်ရှိအခြေအနေကိုကိုင်တွယ်နိုင်ပြီး၎င်းတို့သည်သိသိသာသာပြောင်းလဲခြင်းဆုံးရှုံးမှုသိသိသာသာနိမ့်ကျသည်။ စွမ်းအင်ထိရောက်မှုနှင့်တုန့်ပြန်မှုသည်အဓိကကျသည့်နေရာများကဲ့သို့ဆိုလာ Inverters, စွမ်းဆောင်ရည်များ,
ထို့အပြင်ထုပ်ပိုးနည်းပညာတိုးတက်လာသည်။ ထုတ်လုပ်သူများသည် igbt module များအတွင်း igbt module များအတွင်း diodes နှင့် protective circuits များကိုပေါင်းစပ်ခဲ့သည်။ ၎င်းသည်အထူးသဖြင့်မော်တော်ကားနှင့်ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်လျှောက်လွှာများတွင်စုစုပေါင်းစနစ်ကုန်ကျစရိတ်နှင့်တိုးတက်လာသောယုံကြည်စိတ်ချရမှုများကိုလျှော့ချရန်အထောက်အကူပြုသည်။
စတုတ်ထမျိုးဆက် - ကျစ်လစ်သိပ်သည်းသော module များနှင့်ပိုမိုကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်
ပါဝါသိပ်သည်းဆတောင်းဆိုမှုများတိုးပွားလာသည်နှင့်အမျှအင်္ဂါနေ့မျိုးဆက်များသည်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားဆုံးရှုံးမှုနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားခြင်းနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်ကိုတိုးတက်အောင်လုပ်နေစဉ်ကတစ်ယူနစ် area ရိယာနှုန်းကိုတိုးမြှင့်ခြင်းအပေါ်အာရုံစိုက်သည်။ ၎င်းသည် semiconductor ပစ္စည်းအတွက်တိုးတက်မှုများသာမကကိရိယာဖွဲ့စည်းပုံတွင်လည်းဆန်းသစ်တီထွင်မှုများကိုလည်းလိုအပ်သည်။
တုတ်ကျင်းဂိတ်ဂိတ်အကွီဒီများသည် Planar Gate Designs ကိုစတင်ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ ဒီတုတ်ကျင်းဖွဲ့စည်းပုံဟာစက်ပစ္စည်းအတွင်းရှိလျှပ်စစ်နယ်ပယ်ကိုပိုမိုကောင်းမွန်သောထိန်းချုပ်မှုနှင့် conduction ဆုံးရှုံးမှုများကိုလျှော့ချရန်ခွင့်ပြုခဲ့သည်။ ထို့အပြင် Emitter နှင့် Collector Doping Profiles တွင်တိုးတက်မှုများအရအပေးအယူအကြားရှိအပေးအယူများအကြားရှိအပေးအယူများကိုညှိနှိုင်းပြီးဆုံးရှုံးမှုများကိုပိုမိုလွယ်ကူစွာညှိနှိုင်းနိုင်ပြီးဒီဇိုင်နာများကိုလျှောက်လွှာများနှင့်ကိုက်ညီရန်ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်မှုများကိုပိုမိုပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်စေနိုင်သည်။
ထို့အပြင်ထုပ်ပိုးခြင်းနှင့် module ပေါင်းစည်းမှုသည်အဓိကခုန်ချခဲ့သည်။ Multi-chip module များ, ပေါင်းစည်းတံခါးတံခါးဝယာဉ်မောင်းများနှင့်တိုက်ရိုက်အရည်အေးသောနည်းပညာများသည်ပိုမိုမြင့်မားသော powerprints အတွက်ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းအင်သိပ်သည်းဆအတွက်ခွင့်ပြုသည်။ ဤအင်္ဂါရပ်များသည်စတုတ်ထမျိုးဆက်အဆစ်များကိုလျှပ်စစ်ရထားများ,
ခေတ်မီမြန်နှုန်းမြင့် Igbt module များ - အနုပညာအခြေအနေ
ယနေ့ IGBT module များသည်ပိုမိုမြန်ဆန်ပြီးပိုမိုထိရောက်ပြီးယခင်ကထက် ပို. ကြမ်းတမ်းပါသည်။ Advanced Wafer Thinning Thinning, Ultra-Finet Trench Gate ဖွဲ့စည်းပုံနှင့်ဆီလီကွန်ကာလက် (SICCB) သည်အချို့သော hybrid designs များတွင်တက်ကြွစွာထုပ်ပိုးခြင်း,
နောက်ဆုံးမြန်နှုန်းမြင့် IGBT module များ၏အဓိကအစိတ်အပိုင်းများမှာ -
Ultra-litching losses: အဆင့်မြင့်လယ်ကွင်းရပ်တန့်ခြင်းနှင့်တုတ်ကျင်းတံခါးဒီဇိုင်းများကိုအသုံးပြုခြင်းဖြင့်ဆုံးရှုံးမှုများကိုလျော့ချပြီး Mosfets ၏ဒိုမိန်းကိုတစ်ချိန်တည်းတွင်အသုံးချခြင်းအတွက်သင့်လျော်သည်။
မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှု - အလွှာများအလွှာများနှင့်တိုက်ရိုက်ကြေးနီနှောင်ကြိုး (DCB), ခေတ်မီ module များ,
SANDAME - Modular ဗိသုကာများသည်ဒီဇိုင်နာများကို IGBT ၏လုပ်ထုံးလုပ်နည်းများကို 0 င်ရောက်ယှဉ်ပြိုင်နိုင်သည့်သို့မဟုတ်လျှပ်စစ်တာဘိုင်များနှင့်လျှပ်စစ်နယ်မြေများကဲ့သို့ Megbatt-smartules များကို stack သို့မဟုတ်အပြိုင်ထောက်ပံ့ရန်ခွင့်ပြုသည်။
အသိဉာဏ်ပေါင်းစည်းမှု - ခေတ်မီသော module များသည်အပူချိန်, လက်ရှိနှင့်ဗို့အားအတွက်အပူချိန်, လက်ရှိနှင့်ဗို့အားအတွက်ပါ 0 င်သည်။
EVS, မြန်နှုန်းမြင့်ရထားများနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောစက်မှုလုပ်ငန်းရှာဖွေမှုများအတွက်အစာရှောင်ခြင်းဆိုင်ရာဘူတာရုံများဖြစ်သောအက်ပလီကေးရှင်းများသည်ယခုအဆင့်မြင့်သော IGBT module များအပေါ်များစွာမှီခိုနေရသည်။
IGBT နည်းပညာ၏အနာဂတ်
ဆီလီကွန်ကာဘန်းကဲ့သို့သော bandgap semiconductors ကျယ်ပြန့်နေသဖြင့်အချို့သောဒိုမိန်းများရှိ Igbts တွင် Igbts နှင့်ပြိုင်ဆိုင်မှုကိုအစပြုသည်။ နောင်အနာဂတ်ဖြစ်ပေါ်တိုးတက်မှုများသည် IGBTS နှင့် SIC diodes များကိုပေါင်းစပ်ခြင်းသို့မဟုတ်ဖြန့်ဝေသော sembituctor printing ကဲ့သို့သောကုန်ထုတ်လုပ်မှုနည်းစနစ်အသစ်များကိုပင်အသုံးပြုနိုင်သည့်ပေါင်းစပ်ထားသော module များပါ 0 င်နိုင်သည်။
ထို့အပြင် Igbt Control Systems သည်ပိုမိုကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့်သက်တမ်းအတွက်အလိုက်ပြောင်းလဲခြင်းပုံစံများကိုအံဝင်ခွင်ကျဖြစ်စေနိုင်သော AI-Enhanciting Monients Systems များနှင့်အတူဒီဂျစ်တယ်နှင့်ဆော့ဖ်ဝဲများနှင့်အဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုထားသည်။
အထူးသဖြင့်မော်တော်ကားနှင့်ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲကဏ် sectors များတွင် IGBTS သည်အလတ်စားဓာတ်အားပေးစက်ရုံများနှင့်အညီအဆောက်အအုံများတွင်အကန့်အသတ်ဖြင့်ပြုလုပ်နေဆဲဖြစ်သည်။
IGBT ဆန်းသစ်တီထွင်မှုတွင်ယုံကြည်ရသောကစားသမားတစ် ဦး - Jiangsu Donghai Semiconductor Co. , Ltd.
igbt နည်းပညာတိုးတက်မှုအားတက်ကြွစွာပံ့ပိုးပေးသည့်ကုမ္ပဏီများအကြား jiangsu donghai semiconductor Co. , Ltd. သည်စွမ်းအင်သုံးဆီစတုရန်းတွင်အထူးထုတ်လုပ်သူနှင့်ဆန်းသစ်တီထွင်သူများအဖြစ်ထင်ရှားသည်။ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော IGBT ချစ်ပ်များနှင့် module များဖွံ့ဖြိုးမှုကိုအဓိကထားပြီးလျှပ်စစ်သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးမှစမတ်စွမ်းအင်နှင့်စက်မှုလုပ်ငန်းအလိုအလျောက်အထိထောက်ပံ့သောစက်မှုလုပ်ငန်းများတွင်ကုမ္ပဏီသည်အဓိကအခန်းကဏ် plays မှပါ 0 င်သည်။
Jiangsu Donghai Semiconductor သည်အလွန်အမင်းထုတ်လုပ်မှုနှင့်မြန်နှုန်းမြင့်သော Igbt Solutions များထုတ်လုပ်ရန်အဆင့်မြင့်ကုန်ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များနှင့်အတူနက်ရှိုင်းသောကုန်ထုတ်လုပ်မှုလုပ်ငန်းစဉ်များဖြင့်ပေါင်းစပ်ထားသောပစ္စည်းများကိုပေါင်းစပ်ထားသည်။ ကျစ်လစ်သိပ်သည်းသော, တာရှည်ခံမှုနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်မြှောင်များ 0 ယ်လိုအားတိုးများလာသည်နှင့်အမျှ Jiangsu Donghai ကဲ့သို့သောကုမ္ပဏီများသည်နောက်ထပ်မျိုးဆက်သစ် igbt နည်းပညာကို ပိုမို. ရေရှည်တည်တံ့ခိုင်မြဲသောအနာဂတ်ကိုအာဏာပေးရန်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည်။
