2025 ခုနှစ်သြဂုတ်လ 26 ရက်နေ့တွင် 2025 ခုနှစ်, သတင်းအချက်အလက်သိပ္ပံကောလိပ်မှပါမောက္ခဝမ်တွင်ပါမောက္ခဝမ်မှ ဦး ဆောင်သည့် Hariconductor Institute မှ ဦး ဆောင်သည့် Hariconductor Co. , Ltd. သို့သွားရောက်ခဲ့သည်။ ဥက်က Chairman ္ဌ Xia Huazhong သည် guests ည့်သည်များကိုနွေးထွေးစွာကြိုဆိုပြီးကုမ္ပဏီ၏မာလ်တီမီဒီယာပြပွဲခန်းမမှတစ်ဆင့်လိုက်ပါလာခဲ့သည်။ အလည်အပတ်ခရီးစဉ်အတွင်းကိုယ်စားလှယ်အဖွဲ့သည်ဆန်းသစ်တီထွင်မှု - Drive R & D နှင့်အသိဉာဏ်ရှိသောကုန်ထုတ်လုပ်မှုတွင်ကုမ္ပဏီ၏အောင်မြင်မှုများကိုအထူးစိတ်ဝင်စားသည့် Donghai Semiconductor ၏ယဉ်ကျေးမှု,

စွမ်းအင်ထိန်းသိမ်းခြင်းနှင့်ရေရှည်တည်တံ့ခိုင်မြဲသောဖွံ့ဖြိုးရေးသည်ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ ဦး စားပေးမှုများဖြစ်လာသည့်ခေတ်တွင်အလင်းရောင်လုပ်ငန်းသည်နည်းပညာဆိုင်ရာတော်လှန်ရေးကိုကြုံတွေ့ခဲ့ရသည်။

ယနေ့ဒီဂျစ်တယ်ကမ္ဘာတွင်စွမ်းအင်ပြတ်တောက်မှုသည်စိတ်အနှောင့်အယှက်ဖြစ်စေသည်ထက်ပိုများသည်။ ၎င်းသည်ဆေးရုံများ, ဒေတာစင်တာများ, စက်ရုံများ, သို့မဟုတ်စီးပွားဖြစ်အဆောက်အအုံများတွင်ဖြစ်စေ, ဤစနစ်များသည်အရေးပါသောကြားခံတစ်ခုအနေဖြင့်အရေးပါသောကြားခံတစ်ခုဖြစ်ပြီးလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပြတ်တောက်ခြင်းသို့မဟုတ်အတက်အကျများအတွင်းပင်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သောလုပ်ငန်းများချောချောမွေ့မွေ့ဆက်လက်တည်ရှိနေကြရသည်။

ခေတ်မီစက်မှုစနစ်များသည်စွမ်းအင်ထိရောက်သောနှင့်အလွန်ယုံကြည်စိတ်ချရသောစွမ်းအားပြောင်းလဲခြင်းနည်းပညာများလိုအပ်သည်။ ၎င်းသည်လျှပ်စစ်မော်တာများကိုထိန်းချုပ်ခြင်း, မြန်နှုန်းမြင့်ပရိတ်သတ်များကိုမောင်းနှင်ခြင်း, သို့မဟုတ်စက်မှုလုပ်ငန်းဖြစ်စဉ်များကိုအလိုအလျောက်အလိုအလျောက်အသုံးပြုခြင်း,

18 ကြိမ်မြောက် Snec International Photovoltaic PhotoVoltaic PhotoVoltaic PhotoVoltaic PhotoLOLTOLTAIC POWNITION နှင့် SMART ENDER ပြပွဲ 2025 တို့သည် 20025 ခုနှစ်ဇွန်လ 13 ရက်နေ့တွင်ရှန်ဟိုင်းရှိအမျိုးသားရေးပြပွဲနှင့်ကွန်ဗင်းရှင်းစင်တာတွင်အောင်မြင်စွာအဆုံးသတ်ခဲ့သည်။ ယခုနှစ်ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်လုပ်ငန်းနယ်ပယ်တွင်သွဇာအရှိဆုံးဖြစ်ရပ်များအနက်မှတစ်ခုအနေဖြင့်ယခုနှစ် SMEC သည်ကမ္ဘာတဝှမ်းမှမိသားစုထောင်ပေါင်းများစွာသောစွမ်းအင်ပညာရှင်များ,

Igbt နည်းပညာသည်ခေတ်မီပါဝါအီလက်ထရောနစ်တွင်အရေးပါသောအခန်းကဏ် plays မှပါ 0 င်သည်။ စက်မှုလုပ်ငန်းယာဉ်မောင်းများထံမှပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များအထိ IGBT ရပ်တည်ချက်သည်အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများအတွက်အဘယ်အရာကိုပိုမိုနားလည်သဘောပေါက်ခြင်း, စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောဖြေရှင်းနည်းများကိုတည်ဆောက်ရန်သော့ချက်ဖြစ်သည်ကိုနားလည်ခြင်း။ ဤဆောင်းပါးသည် Igbt ၏အဓိပ္ပါယ်ကိုရှင်းပြပြီး Inverter Ups များ, ဂဟေဆော်စက်များ, PhotoVoltaic စနစ်များနှင့်ကြိမ်နှုန်းပြောင်းရွှေ့ခြင်းများကဲ့သို့သောကိရိယာများတွင်အသုံးပြုခြင်းကိုစူးစမ်းလေ့လာသည်။ 650V igbt igbt igbt single, 185S igbt igbt igbt single, 75A 650V igbt single, 75A 650V igbt single နှင့် 40a 1200V igbt single နှင့် 40a 1200V igbt single နှင့် 40a figbt igbt single တို့ပါ 0 င်သည်။

IGBT နှင့် MOSFet အကြားခြားနားချက်ကိုနားလည်ခြင်းသည်ခေတ်မီပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများနှင့်အလုပ်လုပ်သောအင်ဂျင်နီယာများ, ဒီဇိုင်နာများနှင့်နည်းပညာပညာရှင်များအတွက်အလွန်အရေးကြီးသည်။ IGBBTS နှင့် Mosfets နှစ်ခုစလုံးသည်ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များမှစက်မှုလုပ်ငန်းအလိုအလျောက်နှင့်လျှပ်စစ်ယာဉ်များမှအပလီကေးရှင်းများ၌အရေးကြီးသောအဆောက်အအုံများတွင်အရေးကြီးသောအဆောက်အအုံများဖြစ်သည်။ igbt နှင့်မည်သည့်အချိန်တွင်မည်သည့်အချိန်တွင်မည်သည့်အချိန်တွင်မည်သည့်အချိန်တွင်မည်သည့်အချိန်တွင်ရွေးချယ်ရမည်ကိုမည်သည့်အချိန်တွင်ရွေးချယ်ရမည်ကိုသိခြင်းကိုသိခြင်းသည်ထိရောက်မှု, ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့်ကုန်ကျစရိတ်ကိုတိုးတက်စေနိုင်သည်။