Ar thráthnóna an 26 Lúnasa, 2025, thug toscaireacht ón gColáiste Eolaíochta Faisnéise agus Innealtóireachta ag Institiúid Teicneolaíochta Harbin (Weihai), faoi stiúir an Ollaimh Wang, cuairt ar Donghai Semiconductor Co., Ltd le haghaidh turas agus malartaithe. Chuir an Cathaoirleach Xia Huazhong fáilte mhór roimh na haíonna agus chuaigh siad in éineacht leo trí halla taispeántais ilmheán na cuideachta. Le linn na cuairte, fuair an toscaireacht forbhreathnú cuimsitheach ar chultúr corparáideach Donghai Semiconductor, ar chlocha míle forbartha, ar chroí-tháirgí, agus ar fheidhmchláir teicneolaíochta, le spéis ar leith i ngnóthachtálacha na cuideachta i T&F agus déantúsaíocht Chliste atá tiomáinte ag nuálaíocht.

I ré ina bhfuil tosaíochtaí domhanda ag caomhnú fuinnimh agus ag forbairt inbhuanaithe, tá réabhlóid theicneolaíoch ag an tionscal soilsithe.

I saol digiteach an lae inniu, tá cur isteach cumhachta níos mó ná núis amháin - is féidir leo caillteanais shuntasacha, éilliú sonraí, agus fiú rioscaí sábháilteachta a chruthú. Cibé an bhfuil sé in ospidéil, in ionaid sonraí, i monarchana, nó i bhfoirgnimh tráchtála, tá an gá le córais soláthair cumhachta dochreidte (UPS) níos mó ná riamh. Feidhmíonn na córais seo mar mhaolán criticiúil, ag cinntiú go leanann oibríochtaí riachtanacha ag rith go réidh fiú le linn bristeacha cumhachta nó luaineachtaí.

Éilíonn córais thionsclaíocha nua-aimseartha teicneolaíochtaí comhshó cumhachta atá tíosach ar fhuinneamh agus an-iontaofa. Cibé an bhfuil sé ag rialú mótair leictreacha, ag tiomáint lucht leanúna luais athraitheacha, nó ag uathoibriú próisis thionsclaíocha, ní raibh an gá le rialú beacht, éifeachtach agus solúbtha níos mó riamh.

Chríochnaigh an 18ú Taispeántas Giniúna Cumhachta agus Fuinneamh Cliste Idirnáisiúnta SNEC 2025 go rathúil ar 13 Meitheamh, 2025, ag an Ionad Taispeántais agus Coinbhinsiúin Náisiúnta i Shanghai. Mar cheann de na himeachtaí is mó tionchair sa tionscal fuinnimh in -athnuaite domhanda, mheall SNEC na mílte gairmithe fuinnimh, ceannairí tionscail, agus soláthraithe teicneolaíochta nuálacha ar fud an domhain.

Tá ról ríthábhachtach ag teicneolaíocht IGBT i leictreonaic chumhachta nua-aimseartha, rud a chumasaíonn rialú éifeachtach, ardchumhachta thar raon leathan feidhmeanna. Ó thiománaithe mótair tionsclaíocha go córais fuinnimh in-athnuaite, tá tuiscint a fháil ar an méid a sheasann IGBT i Leictreonaic ríthábhachtach chun réitigh iontaofa, ardfheidhmíochta a thógáil. Míníonn an t -alt seo an bhrí atá le IGBT agus déanann sé iniúchadh ar a chuid úsáidí i bhfeistí cosúil le inverter ups, meaisíní táthúcháin, córais fhótavoltacha, agus tiontairí minicíochta. Déanfaimid anailís freisin ar an gcaoi a bhfuil táirgí cosúil le 650V IGBT singil, 1200V IGBT singil, 50A 650V IGBT singil, 75A 650V IGBT singil, agus 40A 1200V IGBT Aonair sna hiarratais seo.

Tá tuiscint ar an difríocht idir IGBT agus MOSFET ríthábhachtach d'innealtóirí, do dhearthóirí agus do ghairmithe teicniúla atá ag obair le leictreonaic cumhachta nua -aimseartha. Is bloic thógála ríthábhachtacha iad IGBTanna agus MOSFETanna i raon leathan feidhmeanna, ó chórais fuinnimh in -athnuaite go uathoibriú tionsclaíoch agus feithiclí leictreacha. Is féidir le fios a bheith agat cathain a roghnófar IGBT agus cathain a úsáidfear MOSFET éifeachtúlacht, iontaofacht agus éifeachtúlacht costais a fheabhsú.