ခေတ်မီပါဝါလျှပ်စစ်ဓာတ်အား, ထိရောက်မှု, ထိန်းချုပ်မှုနှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုလောကတွင်အလွန်အရေးကြီးသည်။ လျှပ်စစ်မော်တော်ယာဉ်များမှစက်မှုအလိုအလျောက်စက်မှုအလိုအလျောက်, ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များသို့စားသုံးသူများအတွက်ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များ, ထိရောက်သောစွမ်းအင်စီမံခန့်ခွဲမှုသည်အီလက်ထရောနစ်စနစ်များ၏အောင်မြင်မှုကိုသတ်မှတ်သည်။

ပါဝါလျှပ်စစ်ပစ္စည်းများအရ Insulative Gate Babet Bipolar Transistors (IGBTS) သည်စက်မှုဇုန်နှင့်ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များမှလျှပ်စစ်မော်တော်ယာဉ်များ (EVs) နှင့်မြန်နှုန်းမြင့်ရထားများအထိလျှပ်စစ်ဓာတ်အားစီးဆင်းမှုစီးဆင်းမှုကိုထိန်းချုပ်သောမရှိမဖြစ်လိုအပ်သောအစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သည်။

မြန်ဆန်သောအာဏာရှိသောလျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြည့်တင်းသောနယ်ပယ်တွင်ညာဘက် switching device ကိုရွေးချယ်ခြင်းသည်ထိရောက်မှု, ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်ကိုရရှိရန်အတွက်အရေးပါသည်။

မော်တော်ကားလုပ်ငန်းသည်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားလွှာအပေါ်သို့အရှိန်မြှင့်လာသည်နှင့်အမျှနည်းပညာတစ်ခုသည်ဤတော်လှန်ရေးကိုတိတ်တဆိတ်အားတိတ်ဆိတ်စွာနေပြီး insulated ဂိတ်တပ်မတော် Transistor (IGBT) ။

လျှောက်လွှာအမျိုးမျိုးအတွက်ပိုမိုထိရောက်သော, ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့်ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသည့်အစိတ်အပိုင်းများဖြစ်သော Power Electronics of Electronics ၏ကမ္ဘာသည်ကြီးမားသောတိုးတက်မှုများကိုတွေ့မြင်ခဲ့ရသည်။ ဤနယ်ပယ်တွင်ထိုကဲ့သို့သောဆန်းသစ်တီထွင်မှုတစ်ခုမှာ Trenchstop Insultol Insuated Gate Transistor (Igbt) ဖြစ်သည်။

Power Electronics သည်ခေတ်မီလျှပ်စစ်စနစ်များ၏ကျောရိုးဖြစ်သည်။ application အမျိုးမျိုးအတွက်လျှပ်စစ်စွမ်းအင်ကိုပြောင်းလဲခြင်း,

စက်မှုစက်ယန္တရားများ, ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲစွမ်းအင်စနစ်များ, လျှပ်စစ်ယာဉ်များ (EVS) နှင့်အိမ်အသုံးအဆောင်များအပါအ 0 င် applications အမျိုးမျိုးတွင်ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများတွင်အရေးပါသည်။