မော်တော်ကားလုပ်ငန်းသည်လျှပ်စစ်ပစ္စည်းများကိုလျှပ်စစ်ဓာတ်အားစီးဆင်းမှုကိုအရှိန်မြှင့်လာသည်နှင့်အမျှနည်းပညာတစ်ခုသည်ဤတော်လှန်ရေးကိုတိတ်တဆိတ်အားတိတ်ဆိတ်စွာနေ၏ - The The Insulative Gate Gate Bipolar Transistor (IGBT) ။ ဘက်ထရီများနှင့်မော်တာများသည်လျှပ်စစ်မော်တော်ယာဉ်များ (EVs) တွင်မီးမောင်းထိုးပြသည်။ လျှပ်စစ်စွမ်းအင်ကိုပြောင်းလဲရန်နှင့်ထိန်းချုပ်ရာတွင်အရေးပါသောနောက်ကွယ်မှအခန်းကဏ် plays မှပါ 0 င်သည့် Igbt ဖြစ်သည်။ မပါဘဲလျှပ်စစ် powertrain-evertreain-enlertRain-heavity-heart-heart - ထိရောက်စွာသို့မဟုတ်ယုံကြည်စိတ်ချရရန်ရုန်းကန်နေလိမ့်မည်။ အညီအက်ရှက်များနှင့်မည်သည့်အဘယ်ကြောင့်အရေးပါသည်ကိုနားလည်ခြင်းသည်လျှပ်စစ်အင်ဂျင်၏စစ်မှန်တဲ့အင်ဂျင်ကိုတန်ဖိုးထားရန်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည်။
လျှပ်စစ်လောင်ကျွမ်းခြင်းမှလျှပ်စစ်တွန်းအားပေးရန်
ရိုးရာယာဉ်များသည်လောင်စာဆီကိုစက်မှုစွမ်းအင်အဖြစ်သို့ပြောင်းလဲစေသည့်အတွင်းလောင်ကျွမ်းခြင်းအင်ဂျင်များပေါ်တွင်မှီခိုနေရသည်။ ဆန့်ကျင်ဘက်အနေဖြင့် EVs သည်ဘက်ထရီများဖြင့်လျှပ်စစ်မော်တာများကိုအသုံးပြုသည်။ သို့သော်ဤခလုတ်သည်ဘက်ထရီကိုမော်တာတစ်ခုနှင့်ချိတ်ဆက်သကဲ့သို့မလွယ်ကူပါ။ Motors သည်ပုံမှန် (AC) ကိုထိရောက်စွာလုပ်ဆောင်ရန်အတွက်လက်ရှိ (AC) ကိုထိရောက်စွာလုပ်ဆောင်ရန်လိုအပ်သည်။ ဤကွာဟချက်ကိုပေါင်းကူးပေးရန်ဤကွာဟချက်သည်လျှပ်စစ်စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်း, EVS ရှိဤနယ်ပယ်၏အဓိကတွင် igbt သည်တည်ရှိသည်။
များ , IV's Powertrain တွင်အီလက်ထရွန်နစ်ခလုတ်များအနေဖြင့်အီလက်ထရွန်နစ်ခလုတ် သူတို့က High Voltages နှင့် Currents ကိုလျင်မြန်စွာ switching လုပ်ပြီးစွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကိုအနည်းဆုံးဖြစ်စေနေစဉ်မိုးမွေအမြန်, torque နှင့်ထိရောက်မှုကိုအတိအကျထိန်းချုပ်နိုင်အောင်ပြုလုပ်နိုင်သည်။
Igbt ဆိုတာဘာလဲ။
မော်ဒယ် (သတ္တု -ement-semiconductor field-field-field-forction transistor) နှင့် BJT (Bipolar Junction Transistor) နှင့် BJT (Bipolar Junctor Transistor) နှင့် BJT (Bipolar Junctor Transistor) နှင့် BJT (Bipolar Junctor Transistor) နှင့် BJT (Bipololar Junction Transistor) နှင့် BJT (Bipolar Junctor Transistor) နှင့် BJT (Bipolar Junctor Transistor) နှင့် BJT (Bipolar Junctor Transistor) နှင့် BJT (Bipolar Junctor Transistor) နှင့် BJT (Bipolar Junctor Transistor) နှင့် BJT (Bipolar Junctor Transistor) နှင့် BJT (Bipolar Junctor Transistor) နှင့် BJT (Bipololar Junction Transistor) ။ ရလဒ်မှာ BJT ၏မြင့်မားသောကိုင်တွယ်နိုင်စွမ်းနှင့်အတူ MOSFET ၏ input swicting and using spitching မြန်နှုန်းနှင့်အလွယ်တကူ switching speed ကိုအသုံးပြုသောကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။
ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံတွင် Igbt တွင်ဆိပ်ကမ်း, စုဆောင်းသူနှင့်ထုတ်လွှတ်ခြင်းတို့ဖြစ်သည်။ ဂိတ်တံခါးမှသေးငယ်တဲ့ voltage တစ်ခုသည်စုဆောင်းသူနှင့်ထုတ်လွှတ်သူအကြားကြီးမားသောလက်ရှိအခြေအနေကိုထိန်းချုပ်သည်။ ဤဒီဇိုင်းသည် IGBTS ကိုအထူးသဖြင့်လျှပ်စစ်မော်တော်ယာဉ် Powertrains တွင်ရှိသောဗို့အားနှင့်လက်ရှိအခြေအနေများလိုအပ်သောအပလီကေးရှင်းများနှင့်သင့်လျော်သည်။
INVERTER: IGBTS လေးလံသောရုပ်သိမ်းသည့်နေရာများတွင်
စွမ်းဆောင်ဆွဲသောဗွီဒီယိုသည် Igbts များသည်သူတို့၏အရေးအကြီးဆုံးအခန်းကဏ် perform ်ဌာန်းထားသည့်နေရာဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် DC voltage ကိုဘက်ထရီဗို့အား (ပုံမှန်အားဖြင့် 300V နှင့် 800V အကြား) မှမော်တာကိုလုပ်ပိုင်ခွင့်အာဏာကိုသုံးသည့် phase ac ဗို့အားသို့ပြောင်းလဲပေးသည်။ iNVERTER သည် igbts များလျင်မြန်စွာရွေ့လျားနေသည့်အချိန်နှင့်တစ်စက္ကန့်၏ကြိမ်လုံးများလျင်မြန်စွာဖွင့်ခြင်းနှင့် off- မကြာခဏ switch- off- မကြာခဏ switch- off- မကြာခဏ switch- offs- off- မကြာခဏ switching technique ကိုဖြတ်သန်းသွားလေရာတွင်ဒီအောင်မြင်မှု။
ဒီပဲမျိုးစုံရဲ့တာဝန်ကိုညှိခြင်းအားဖြင့်, ဤလုပ်ငန်းစဉ်သည်တိကျရုံသာမကထိရောက်မှုရှိရမည်။ igbt ခလုတ်များအချိန်တိုင်းအပူပုံစံဖြင့်စွမ်းအင်အနည်းငယ်သာဆုံးရှုံးသည်။ ဤဆုံးရှုံးမှုများကိုလျှော့ချခြင်းသည်ယာဉ်အကွာအဝေးနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်ကိုတိုးမြှင့်ခြင်းအတွက်မရှိမဖြစ်လိုအပ်သည်။
EVs များအတွက်အဆင့်မြင့် igbt module များသည်ပြည်နယ်ဗို့အားကျဆင်းခြင်း (conduction ဆုံးရှုံးမှုများကိုလျှော့ချခြင်း) နှင့်အတူဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားပြီး switching ဆုံးရှုံးမှုများကိုလျှော့ချရန်အကောင်းဆုံး switching အပြုအမူများကိုပြုလုပ်သည်။ အစစ်အမှန်ကမ္ဘာပေါ်တွင်ကားမောင်းခြင်းတွင်ပိုမိုချောမွေ့စွာအရှိန်မြှင့်ခြင်း,
မြင့်မားသောဗို့အား, မြင့်မားသောလက်ရှိ, မြင့်မားသောမျှော်လင့်ချက်များ
Electric Cornes သည်အလွန်အမင်းလျှပ်စစ်စိတ်ဖိစီးမှုများကိုကိုင်တွယ်နိုင်သောအစိတ်အပိုင်းများကိုတောင်းဆိုသည်။ ခေတ်သစ် EV တွင် Powertrain သည်အရှိန်အဟုန်မြှင့်စဉ်အတွင်းရာနှင့်ချီသောလက်ရှိအခြေအနေတွင်ရာနှင့်ချီသော amps များနှင့် 600V ကျော်လွန်သောဗို့အားဖြင့်လည်ပတ်နိုင်သည်။ IGBTS သည်ဤအခြေအနေများကိုကျေးဇူးတင်နိုင်စွမ်းရှိနိုင်သည်။
မြင့်မားသောဗို့အားပိတ်ဆို့ခြင်းစွမ်းရည် (ပုံမှန်အားဖြင့် 600V-1700V)
မြင့်မားသောလက်ရှိသိပ်သည်းဆ ,
အပူစွမ်းဆောင်ရည်ခိုင်မာတဲ့စွမ်းဆောင်ရည်စစ်ဆင်ရေးကာလအတွင်းထုတ်လုပ်လိုက်တဲ့အပူကိုကြဲခြင်း,
Evs အတွက် IGBT module အများစုကို igbts, freewheeling diodes များ, ဤရွေ့ကား module များသည်အကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်စွမ်းဆောင်ရည်ကိုဖြည့်ဆည်းပေးသည့်ကြမ်းတမ်းသောမော်တော်ကားပတ် 0 န်းကျင်ဖြစ်သောတုန်ခါမှု, အပူချိန်စက်ဘီးစီးခြင်းနှင့်အာကာသအခက်အခဲများကိုကိုင်တွယ်ရန်ဒီဇိုင်းပြုလုပ်ထားသည်။
Regenerative baking နှင့် bidirectional ပါဝါစီးဆင်းမှု
IGBTS သည်အခြားအဓိက EV နည်းပညာ၏အဓိက EV နည်းပညာ - Regenerative Breaking ။ ဤစနစ်တွင်လျှပ်စစ်မော်တာသည်ယာဉ်၏ Kinetic Energy ကို deceleration စဉ်အတွင်းမော်တော်ယာဉ်စွမ်းအင်ကိုလျှပ်စစ်စွမ်းအင်သို့ပြောင်းရွှေ့ခြင်း, ပါဝါအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများသည်မော်တာမှစီးပွါးရေးစီးဆင်းမှုကိုဘက်ထရီသို့ပြန်ပြောင်းပါ။
Controlled switching မှတဆင့် IGBTS သည်ဤအဖွဲ့သို့စီးဆင်းမှုကိုလွယ်ကူချောမွေ့စေသည်။ လျင်မြန်စွာဖွင့ ်. ပိတ်ထားနိုင်သည့်စွမ်းရည်သည်လက်ရှိ spikes များကိုကိုင်တွယ်နိုင်စွမ်းသည်ထိရောက်သောစွမ်းအင်ပြန်လည်ထူထောင်ရေး, ယာဉ်မောင်းများကိုတိုးတက်အောင်လုပ်ခြင်းနှင့်စက်မှုဘရိတ်စနစ်တွင် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့် 0 တ်ဆင်ခြင်းနှင့်စက်ဘီးစီးခြင်းဆိုင်ရာအစိတ်အပိုင်းများကိုလျှော့ချနိုင်သည်။
အပူစီမံခန့်ခွဲမှု - ဖိအားအောက်မှာအအေးခံနေရ
IGBTS သည်ထိရောက်နိုင်သော်လည်းအထူးသဖြင့်လျင်မြန်သော switching သို့မဟုတ်မြင့်မားသော 0 န်ထုပ်များတွင်အပူချိန်မြင့်မားနေဆဲဖြစ်သည်။ အပူစီမံခန့်ခွဲမှုဤသို့ထို့ကြောင့်၏အရေးပါသောရှုထောင့်ဖြစ်ပါတယ် igbt လျှောက်လွှာ ။ Evs အတွက် အပူလွန်ကဲခြင်းသည်စွမ်းဆောင်ရည်ကိုယုတ်ညံ့စေနိုင်သည်သို့မဟုတ်ရှုံးနိမ့်မှုဖြစ်စေနိုင်သည်။
လူမီနီယမ် Nitride ကြွေထည်များ မြင့်မားသောအပူစီးကူးမှုအတွက်
အရည် -y အအေးဓာတ်ဖြည့်တင်း မြင့်မားသောစွမ်းအင် module များတွင်
အပူအာရုံခံကိရိယာများကိုပေါင်းစပ်ထားသည် Real-time အပူချိန်စောင့်ကြည့်လေ့လာမှုအတွက်
IGBTS များသည်ကားမောင်းနေသည့်အခြေအနေအားလုံးတွင်ရပ်တန့်ခြင်းအခြေအနေများမှအပြည့်အဝဆွဲဆောင်မှုရှိစေရန်အပြည့်အဝအရှိန်မြှင့်အနေဖြင့်တသမတ်တည်းစွမ်းဆောင်ရည်များအားလုံးအောက်တွင်တသမတ်တည်းစွမ်းဆောင်ရည်ကိုသေချာစေရန်အကန့်အသတ်များနှင့်အပူရှိန်ပစ္စည်းများနှင့်အပူဖြန့်ဖြူးသူများနှင့်မကြာခဏပေါင်းစပ်ထားသည်။
ပြိုင်ဆိုင်မှု - IGBTS vs ။ SIC Mosfets
နည်းပညာတဖြည်းဖြည်းပြောင်းလဲလာသည်နှင့်အမျှ silicon carbide (SIC) Mosfets သည် Ev applications များရှိ IGBTS ကိုအလားအလာရှိသောစိန်ခေါ်မှုများအဖြစ်ပေါ်ထွက်လာခဲ့သည်။ sic devices များသည် switching speeds အမြန်နှုန်းများ, နိမ့်ကျသောဆုံးရှုံးမှုများနှင့်မြင့်မားသောအပူချိန်တွင်ပိုမိုကောင်းမွန်သောစွမ်းဆောင်ရည်ကိုပေးသည်။ သို့သော်၎င်းတို့သည်အကြီးစားထုတ်လုပ်မှုတွင်သိသိသာသာပိုမိုစျေးကြီးပြီးရင့်ကျက်မှုနည်းသည်။
လက်ရှိတွင်လူတန်းစားများသည်အလယ်အလတ်တန်းစား EVs နှင့် hybrids များတွင်အဓိကရွေးချယ်ထားသည့်ရွေးချယ်မှုဖြစ်သည်, အထူးသဖြင့်ကုန်ကျစရိတ် - ထိရောက်မှုသည်အရေးပါသည်။ အထူးသဖြင့် 800v ဗိသုကာများအတွက် EVS သည် Sic Mapfets များစွာကိုစတင်ကျင့်သုံးနေသည်။
ပေါင်းစပ်ဖြေရှင်းချက်များနှင့်စမတ် module များ
ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကိုဒီဇိုင်းနှင့်တိုးတက်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း, ဤရွေ့ကား modulees ပေါင်းစပ်:
igbts နှင့်ဂိတ်ယာဉ်မောင်း
On-chip protection (overvoltage, overcurrent နှင့် overcurrent နှင့် overtemperated)
ရောဂါရှာဖွေရေးနှင့်တုံ့ပြန်ချက်စွမ်းရည်
EMI filtering နှင့် compact ထုပ်ပိုး
ဤပေါင်းစည်းမှုသည်စနစ်ရှုပ်ထွေးမှုကိုလျှော့ချရန်အထောက်အကူပြုသည်။
longevity, ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့်ဘေးကင်းရေး
မော်တော်ယာဉ်ပတ် 0 န်းကျင်တွင်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုသည်ညှိနှိုင်းမှုမဟုတ်ပါ။ Igbt Modules သည်အပူစက်ဘီးစီးခြင်း, စိုထိုင်းဆတော်လှန်ရေး, တုန်ခါမှုစမ်းသပ်မှုများအပါအ 0 င်တိကျခိုင်မာသည့်အရည်အချင်းစစ်ဆေးခြင်းကိုခံယူသည်။ သူတို့၏ပျက်ကွက်မှုယန္တရားများကိုကောင်းစွာနားလည်နိုင်ပြီးဆယ်စုနှစ်တစ်ခုကျော်အတွင်းသင့်လျော်သောအပူစီမံခန့်ခွဲမှုဖြင့်ယုံကြည်စိတ်ချစွာလုပ်ကိုင်နိုင်သည်။
ထို့အပြင်တိုတောင်းသောဆားကစ်ကာကွယ်ခြင်း, desaturation ရှာဖွေတွေ့ရှိခြင်းနှင့်ပျော့ပျောင်းသောအလှည့်အပြောင်းယန္တရားများကဲ့သို့သောတည်ဆောက်မှုဆိုင်ရာလုံခြုံမှုဆိုင်ရာအင်္ဂါရပ်များသည်အမှားအယွင်းများနှင့်၎င်း၏ခရီးသည်များအားအကာအကွယ်ပေးရန်,
လျှပ်စစ်မိုဘိုင်း၏အနာဂတ်မောင်းနှင်မှု
လျှပ်စစ်ရွေ့လျားမှုကိုကူးပြောင်းခြင်းသည်မော်တာများအတွက်အင်ဂျင်များကိုလဲလှယ်ခြင်းနှင့် ပတ်သက်. သာမဟုတ်ပါ။ ၎င်းတွင်စွမ်းအင်ကိုစီမံခန့်ခွဲခြင်း, သိမ်းပိုက်ခြင်းနှင့်မည်သို့အသုံးပြုမည်ကိုပြန်လည်စဉ်းစားခြင်းပါဝင်သည်။ Igbts သည်ဤအသွင်ကူးပြောင်းမှုတွင်အဓိကအခန်းကဏ် play မှပါ 0 င်သည်။ ၎င်းတို့သည်စွမ်းအင်တံခါးဝများအဖြစ်ဆောင်ရွက်သည်။ ဘက်ထရီမှ Watt မှ WATT မှအုတ်မြစ်သို့ထိရောက်စွာပြောင်းလဲခြင်းသို့မဟုတ်ဘရိတ်အတွင်းသိုလှောင်ထားနိုင်သည်။
EV စားသုံးမှုသည်တစ်ကမ္ဘာလုံးအတိုင်းအတာဖြင့်ကြီးထွားလာသည်နှင့်အမျှပိုမိုထိရောက်သော, အထူးသဖြင့်အချိုးကျတီထွင်မှုများနှင့်အတူဆန်းသစ်တီထွင်မှုများကဲ့သို့သောတီထွင်မှုများနှင့်အတူဆန်းသစ်တီထွင်မှုများနှင့်အတူဆန်းသစ်တီထွင်မှုများနှင့်အတူဤတောင်းဆိုမှုများကိုဖြည့်ဆည်းရန်ဆက်လက်တိုးတက်လာခဲ့သည်။ ၎င်းတို့ကိုနောက်ဆုံးတွင် Emp-end application အချို့ရှိ sic devices များဖြင့်အစားထိုးနိုင်သည်။ သို့သော်ယခုအချိန်တွင်၎င်းတို့သည် EV Powertrain ၏အလုပ်ရှင်များဆက်လက်ရှိနေဆဲဖြစ်သည်။
ကောက်ချက်
IGBTS သည် unsung လျှပ်စစ်မော်တော်ယာဉ်များကို unsung သူရဲကောင်းများဖြစ်သည်။ သူတို့ကဘီးတွေကိုမရွှေ့ဘူး, စွမ်းအင်ကိုမသိမ်းဆည်းကြဘူး, Trovers မှ Rubenerative Braking သို့ Rubenerative Braking သို့ Thermal Management မှပေါင်းစည်းခြင်းဘေးကင်းလုံခြုံမှုဆိုင်ရာစွမ်းဆောင်ရည်ကိုစီမံခန့်ခွဲခြင်း, EVERTRAIN တွင်အရေးပါသောလုပ်ဆောင်မှုတိုင်းကိုအခြေခံသည်။
မော်တော်ကားကမ္ဘာသုညထုတ်လွှတ်မှုနှင့်စမတ်ကျပြီးရွေ့လျားမှုနှင့် ပတ်သက်. ပြိုင်ပွဲများအနေဖြင့် Igbts သည်ဆက်လက်မထားနိုင်ပါ။ သူတို့၏အခန်းကဏ်ကိုနားလည်ခြင်းသည်ခေတ်မီလျှပ်စစ်မော်တော်ယာဉ်များကိုတတ်နိုင်သမျှသာမကအစွမ်းထက်သော,
