40A 1200V Parit Bertebat Gerbang Transistor Bipolar DGC40F120M2 TO-247

Transistor Bipolar Gerbang Bertebat 40A 1200V Parit Bertebat

1 Ciri-ciri 

Transistor Bipolar Gerbang Bertebat ini menggunakan reka bentuk teknologi parit dan Fieldstop termaju, memberikan Vcesat dan kelajuan pensuisan yang sangat baik, cas pintu yang rendah. Yang sesuai dengan piawaian RoHS. 

2 Ciri

● Vcesat Rendah 

● Caj pintu rendah 

● Kelajuan menukar yang sangat baik 

● Keupayaan selari yang mudah disebabkan oleh Pekali suhu positif dalam Vcesat

● Tsc≥6µs

● Pemulihan pantas diod anti selari arus penuh 

3 Aplikasi 

● Kimpalan 

● UPS 

● Penyongsang tiga tingkat

Vces	Pakej	Ic(Tj=100℃)
1200V	KE-247-3L	40A