ຮູບພາບ: 建议图片大小150px*50px 
 |
| ປະລິມານ: | |
|---|---|
DGC40F120M2
WXDH
40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Transistor Bipolar
1 ຄຸນສົມບັດ
ເຫຼົ່ານີ້ Insulated Gate Transistor ໄດ້ນໍາໃຊ້ trench ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານແລະການອອກແບບເຕັກໂນໂລຊີ Fieldstop, ສະຫນອງ Vcesat ທີ່ດີເລີດແລະຄວາມໄວສະຫຼັບ, ຄ່າບໍລິການປະຕູຕ່ໍາ.ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.
2 ຄຸນສົມບັດ
● Vcesat ຕ່ໍາ
● ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ
● ຄວາມໄວສະຫຼັບທີ່ດີເລີດ
● ຄວາມສາມາດຂະຫນານງ່າຍເນື່ອງຈາກອຸນຫະພູມບວກ Coefficient ໃນ Vcesat
● Tsc≥6µs
● ການຟື້ນຕົວໄວເຕັມທີ່ຕ້ານການຂະຫນານ diode ໃນປັດຈຸບັນ
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
● ການເຊື່ອມໂລຫະ
● UPS
● Inverter ສາມລະດັບ
| Vces | ຊຸດ | Ic(Tj=100℃) |
| 1200V | TO-247-3L | 40A |
40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Transistor Bipolar
1 ຄຸນສົມບັດ
ເຫຼົ່ານີ້ Insulated Gate Transistor ໄດ້ນໍາໃຊ້ trench ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານແລະການອອກແບບເຕັກໂນໂລຊີ Fieldstop, ສະຫນອງ Vcesat ທີ່ດີເລີດແລະຄວາມໄວສະຫຼັບ, ຄ່າບໍລິການປະຕູຕ່ໍາ.ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ RoHS.
2 ຄຸນສົມບັດ
● Vcesat ຕ່ໍາ
● ຄ່າບໍລິການປະຕູຕໍ່າ
● ຄວາມໄວສະຫຼັບທີ່ດີເລີດ
● ຄວາມສາມາດຂະຫນານງ່າຍເນື່ອງຈາກອຸນຫະພູມບວກ Coefficient ໃນ Vcesat
● Tsc≥6µs
● ການຟື້ນຕົວໄວເຕັມທີ່ຕ້ານການຂະຫນານ diode ໃນປັດຈຸບັນ
3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
● ການເຊື່ອມໂລຫະ
● UPS
● Inverter ສາມລະດັບ
| Vces | ຊຸດ | Ic(Tj=100℃) |
| 1200V | TO-247-3L | 40A |
