ပုံ- 建议图片大小150px*50px 
 |
| အရေအတွက်- | |
|---|---|
DGC40F120M2
WXDH
40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor
အင်္ဂါရပ်များ ၁
ဤ Insulated Gate Bipolar Transistor သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော Vcesat နှင့် switching speed ၊ low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနှင့် Fieldstop နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
● အနိမ့် Vcesat
● နိမ့်သောဂိတ်တာဝန်ခံ
● အထူးကောင်းမွန်သော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်း
● Vcesat တွင် အပြုသဘောဆောင်သော အပူချိန် Coefficient ကြောင့် အပြိုင်ရလွယ်သည်။
● Tsc≥6µs
● အမြန်ပြန်လည်ရယူခြင်း အပြည့်အဝ လက်ရှိဆန့်ကျင်သည့် အပြိုင်ဒိုင်အိုဒ
3 လျှောက်လွှာများ
● ဂဟေဆော်ခြင်း။
● UPS
● သုံးအဆင့် အင်ဗာတာ
| Vces | အထုပ် | Ic(Tj=100℃) |
| 1200V | TO-247-3L | 40A |
40A 1200V Trenchstop Insulated Gate Bipolar Transistor
အင်္ဂါရပ်များ ၁
ဤ Insulated Gate Bipolar Transistor သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော Vcesat နှင့် switching speed ၊ low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနှင့် Fieldstop နည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
အင်္ဂါရပ် ၂ ခု
● အနိမ့် Vcesat
● နိမ့်သောဂိတ်တာဝန်ခံ
● အထူးကောင်းမွန်သော ကူးပြောင်းမှုအမြန်နှုန်း
● Vcesat တွင် အပြုသဘောဆောင်သော အပူချိန် Coefficient ကြောင့် အပြိုင်ရလွယ်သည်။
● Tsc≥6µs
● လျင်မြန်စွာ ပြန်လည်ရယူခြင်း အပြည့်အဝ လက်ရှိဆန့်ကျင်သည့် အပြိုင်ဒိုင်အိုဒ
3 လျှောက်လွှာများ
● ဂဟေဆော်ခြင်း။
● UPS
● သုံးအဆင့် အင်ဗာတာ
| Vces | အထုပ် | Ic(Tj=100℃) |
| 1200V | TO-247-3L | 40A |
