未命名(1)(8) (1)
kapu
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ön itt van: Otthon » Termékek » SIC » 650V-3300V SIC MOS » 30mΩ 1200V N-csatornás SiC Power MOSFET DCC030M120G2 TO-247-3L

terhelés

Megosztás:
Facebook megosztás gomb
Twitter megosztás gomb
vonalmegosztás gomb
wechat megosztási gomb
linkedin megosztás gomb
pinterest megosztási gomb
WhatsApp megosztási gomb
oszd meg ezt a megosztási gombot

30mΩ 1200V N-csatornás SiC Power MOSFET DCC030M120G2 TO-247-3L

Ez a termékcsalád a legkorszerűbb teljesítményt kínálja. Olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz tervezték, ahol nagy hatékonyság és nagy megbízhatóság szükséges
Elérhetőség:
Mennyiség:
Érdeklődni Hozzáadás a kosárhoz

30mΩ 1200V N-csatornás SiC Power MOSFET


1 Leírás 

Ez a termékcsalád a legkorszerűbb teljesítményt kínálja. Olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz tervezték, ahol nagy hatékonyságra és nagy megbízhatóságra van szükség. 


2 Jellemzők 

● Magasabb rendszerhatékonyság 

● Csökkentett hűtési igény 

● Megnövelt teljesítménysűrűség 

● Megnövelt rendszerváltási frekvencia


3 Alkalmazások

● Tápegységek. 

● Nagyfeszültségű DC/DC átalakítók. 

● Motor hajtások. 

● Kapcsolóüzemű tápegységek 

● Impulzusteljesítményű alkalmazások


VDSS  RDS(be) (TYP) ID 
1200V 30 mΩ 68A


Előző: 
Következő: 
36A 1200V N-csatornás SIC Power MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Iratkozzon fel hírlevelünkre
  • készüljön fel a jövőre,
    iratkozzon fel hírlevelünkre, hogy közvetlenül a postaládájába kapja a frissítéseket
    Beküld
Szerzői jog © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technológia by leadong.com