8a 600 V N-kanali parendamise režiim Power MOSFET 8N60 TO-220C

8a 600V N-kanali parendamise režiimi toitemootoriga MOSFET

1 kirjeldus

Need N-kanaliga täiustatud VDMOSFET-id saadakse ise joondatud tasapinnalise tehnoloogia abil, mis vähendab juhtivuse kadu, parandavad lülitus jõudlust ja suurendavad laviini energiat. Mis on kooskõlas ROHSi standardiga. 

2 funktsiooni 

● Kiire vahetamine 

● ESD täiustatud võimekus 

● Madal takistus (RDSON≤1,2Ω) 

● Madal väravalaeng (tüüp: 24NC) 

● Madal tagurpidi ülekande mahtuvus (tüüp: 5,5PF) 

● 100% ühe impulsi laviini energiatesti 

● 100% ΔVDS -test 

3 rakendust 

● Süsteemi miniaturiseerimiseks ja suurema efektiivsuse jaoks kasutatud erinevates energialülitusahelates. 

● Elektronballasti ja adapteri toitelüliti vooluring.

VDSS	RDS (ON) （TÜÜP)	Isikutunnistus
600 V	0,98Ω	8a