MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 145A 30V DH028N03D TO-252B

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 145 A y 30 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Sistema de gestión de inversores. 

● herramientas eléctricas 

● Electrónica automotriz

VDS	RDS(encendido)tipo.	IDENTIFICACIÓN
30V	2,7 mΩ	145A