Tor
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sie sind hier: Heim » Produkte » MOSFET » -30V~-100V P MOS » DHP50P04 DFN5X6

Laden

Teilen mit:
Facebook-Sharing-Button
Twitter-Sharing-Button
Schaltfläche „Leitungsfreigabe“.
Wechat-Sharing-Button
LinkedIn-Sharing-Button
Pinterest-Sharing-Button
WhatsApp-Sharing-Button
Teilen Sie diese Schaltfläche zum Teilen

DHP50P04 DFN5X6

DHP50P04 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-Feldeffekttransistor. Das fortschrittliche Trench-Technologie-Design sorgt für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Die Verpackungsform ist SOP-8. Was dem RoHS-Standard entspricht.
Verfügbarkeit:
Menge:

50 A 40 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung

DHP50P04 ist ein P-Kanal-Leistungs-Feldeffekttransistor im Anreicherungsmodus. Das fortschrittliche Trench-Technologie-Design sorgt für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Die Verpackungsform ist SOP-8. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Schaltnetzteil

● DC-DC-Wandler 

● Lastumschaltung 

● Wechselrichter-Energieverwaltungssystem 

● Anwendungen der Automobilelektronik


VDSS RDS(ein) (TYP) AUSWEIS 
-40V 12mΩ -50A



Vorherige: 
Nächste: 
  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Machen Sie sich bereit für die Zukunft.
    Melden Sie sich für unseren Newsletter an, um Updates direkt in Ihren Posteingang zu erhalten