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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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42A 600V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET DJC070N60F TO-247

42 A 600 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET
Verfügbarkeit:
Menge:

42 A 600 V N-Kanal-Super-Junction-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-verstärkten VDMAsfets nutzen fortschrittliche Super-Junction-Technologie und -Design, um exzellenten Rdson mit niedriger Gate-Ladung bereitzustellen. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

● Schnelle Wiederherstellungszeit 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● Eingebaute ESD-Diode 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Leistungsfaktorkorrektur (PFC). 

● Schaltnetzteile (SMPS). 

● Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV). 

● AC-DC-Wandler 

● Telekommunikation, Solar

VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
600V 61 mΩ 42A


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