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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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41 A 650 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET DCC060M65G2 TO-247

41 A 650 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET
Verfügbarkeit:
Menge:

41 A 650 V N-Kanal-SIC-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese Produktfamilie bietet modernste Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind. 


2 Funktionen

● Höhere Systemeffizienz 

● Reduzierter Kühlbedarf

● Erhöhte Leistungsdichte 

● Erhöhte Systemschalthäufigkeit 


3 Anwendungen 

● Netzteile. 

● Hochspannungs-DC/DC-Wandler. 

● Motorantriebe. 

● Schaltnetzteile 

● Anwendungen mit gepulster Leistung 


VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
650V 60 mΩ 41A


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