40 A 60 V P-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET DH400P06 TO-220C

40 A 60 V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese P-Kanal-verstärkten VDMOSFETs nutzen fortschrittliche Trench-Technologie und Design und sorgen für einen hervorragenden Rdson mit niedriger Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen 

● Wechselrichter-Managementsystem

● Elektrowerkzeuge

● Automobilelektronik

VDSS	RDS(ein) (TYP)	AUSWEIS
-60V	32mΩ	-40A