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DH850N10B
WXDH
DH850N10B
TO-251B
100V
15A
15 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
1 Beschreibung
Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
2 Funktionen
● Geringer Widerstand
● Niedrige Gate-Ladung
● Schnelles Umschalten
● Geringe Rückübertragungskapazitäten
● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest
● 100 % ΔVDS-Test
3 Anwendungen
● Leistungsschaltanwendungen
● Wechselrichter-Managementsystem
● Elektrowerkzeuge
● Automobilelektronik
| VDSS | RDS(ein)(TYP) | AUSWEIS |
| 100V | 86 mΩ | 15A |




