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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd.
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140A 85 V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
 
Verfügbarkeit:
Menge:
  • DHS043N85/DHS043N85F/DHS043N85E/DHS043N85B/DHS043N85D

  • Wxdh

140A 85 V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Synchrone Korrektur in SMPs

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf 

● Elektrowerkzeuge 

● ups 

● Motorsteuerung

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
85 V 4mΩ 140a


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