丨
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » МОДУЛЬ » PIM » Напівмостовий модуль 100A 1200V

завантаження

Поділитися з:
кнопка спільного доступу до Facebook
кнопка спільного доступу до Twitter
кнопка спільного доступу до лінії
кнопка спільного доступу до wechat
кнопка спільного доступу в Linkedin
кнопка спільного доступу на pinterest
кнопка спільного доступу до WhatsApp
поділитися цією кнопкою спільного доступу

100A 1200V Напівмостовий модуль

Напівмостовий модуль 100A 1200V
Наявність:
Кількість:
Запитуйте Додати в кошик

  • DGA100H120M2T

  • WXDH

100A 1200V Напівмостовий модуль


1 Опис 

У цих біполярних транзисторах із ізольованим затвором використовується розширена конструкція технології Trench і Fieldstop, що забезпечує чудовий VCEsat і швидкість перемикання, низький заряд затвора.Що відповідає стандарту RoHS. 


2 Особливості 

  ● FS Trench Technology, позитивний температурний коефіцієнт 

  ● Низька напруга насичення: VCE (sat), typ = 1,9 В при IC = 100 A та Tj = 25 °C 

  ● Надзвичайно покращена лавиноздатність 


3 Додатки 

  • Зварювання 

  • ДБЖ 

  • Трирівневий інвертор 

  • Підсилювач сервоприводу змінного і постійного струму




    Тип VCE Ic VCEsat, Tj=25 ℃ Тьоп Пакет
    DGA100H120M2T 1200В 100A (Tj=100 ℃) 1,9 В (тип.) 175 ℃ 34 мм
Попередній: 
далі: 
100A 1200V Напівмостовий модуль

категорія продукту

Останні новини

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу інформаційну стрічку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Підпишіться
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com