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Modulo mezzo ponte 100A 1200V

Modulo half bridge 100A 1200V
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  • DGA100H120M2T

  • WXDH

Modulo mezzo ponte 100A 1200V


1 Descrizione 

Questi transistor bipolari a gate isolato utilizzavano un design avanzato con tecnologia trench e Fieldstop, fornivano eccellenti VCEsat e velocità di commutazione, bassa carica di gate.Che è conforme allo standard RoHS. 


2 Caratteristiche 

  ● Tecnologia FS Trench, coefficiente di temperatura positivo 

  ● Bassa tensione di saturazione: VCE(sat), tipica = 1,9 V @ IC = 100 A e Tj = 25°C 

  ● Capacità valanghe estremamente migliorata 


3 applicazioni 

  • Saldatura 

  • UPS 

  • Invertitore a tre livelli 

  • Amplificatore servoazionamento AC e DC




    Tipo VCE Circuito integrato VCEsat,Tj=25℃ Tjop Pacchetto
    DGA100H120M2T 1200 V 100A (Tj=100℃) 1,9 V (tip.) 175 ℃ 34MM
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