มณฑลเจียงซูตงไห่เซมิคอนดักเตอร์บจก
มณฑลเจียงซูตงไห่เซมิคอนดักเตอร์บจก
คุณอยู่ที่นี่: บ้าน » สินค้า » โมดูล » พิม » โมดูลฮาล์ฟบริดจ์ 100A 1200V

กำลังโหลด

แบ่งปันไปที่:
ปุ่มแชร์เฟสบุ๊ค
ปุ่มแชร์ทวิตเตอร์
ปุ่มแชร์ไลน์
ปุ่มแชร์วีแชท
ปุ่มแชร์ของ LinkedIn
ปุ่มแชร์ Pinterest
ปุ่มแชร์ Whatsapp
แชร์ปุ่มแชร์นี้

โมดูลฮาล์ฟบริดจ์ 100A 1200V

โมดูลฮาล์ฟบริดจ์ 100A 1200V
มีจำหน่าย:
จำนวน:
  • DGA100H120M2T

  • WXDH

โมดูลฮาล์ฟบริดจ์ 100A 1200V


1 คำอธิบาย 

ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์เกทหุ้มฉนวนเหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องลึกและ Fieldstop ขั้นสูง ให้ VCEsat และความเร็วในการเปลี่ยนที่ยอดเยี่ยม และมีประจุเกตต่ำซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 


2 คุณสมบัติ 

  ● เทคโนโลยี FS Trench ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิที่เป็นบวก 

  ● แรงดันไฟอิ่มตัวต่ำ: VCE(sat), ประเภท = 1.9V @ IC =100A และ Tj = 25°C 

  ● ความสามารถในการถล่มที่เพิ่มขึ้นอย่างมาก 


3 การใช้งาน 

  • การเชื่อม 

  • ยูพีเอส 

  • อินเวอร์เตอร์สามระดับ 

  • แอมพลิฟายเออร์ไดรฟ์เซอร์โว AC และ DC




    พิมพ์ วีซีอี เข้าใจแล้ว VCEsat,Tj=25℃ ทีจ็อป บรรจุุภัณฑ์
    DGA100H120M2T 1200V 100A (เจ = 100 ℃) 1.9V (ประเภท) 175 ℃ 34มม
ก่อนหน้า: 
ต่อไป: 

ประเภทสินค้า

ข่าวล่าสุด

  • ลงทะเบียนเพื่อรับจดหมายข่าวของเรา
  • เตรียมพร้อมสำหรับอนาคต
    สมัครรับจดหมายข่าวของเราเพื่อรับข้อมูลอัปเดตตรงถึงกล่องจดหมายของคุณ
    ติดตาม