丨
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sie sind hier: Heim » Produkte » MODUL » PIM » 100A 1200V Halbbrückenmodul

Wird geladen

Teilen mit:
Facebook-Sharing-Button
Twitter-Sharing-Button
Schaltfläche „Leitungsfreigabe“.
Wechat-Sharing-Button
LinkedIn-Sharing-Button
Pinterest-Sharing-Button
WhatsApp-Sharing-Button
Teilen Sie diese Schaltfläche zum Teilen

100A 1200V Halbbrückenmodul

100A 1200V Halbbrückenmodul
Verfügbarkeit:
Menge:
Anfragen Zum Warenkorb hinzufügen

  • DGA100H120M2T

  • WXDH

100A 1200V Halbbrückenmodul


1 Beschreibung 

Diese Bipolartransistoren mit isoliertem Gate verwenden ein fortschrittliches Trench- und Fieldstop-Technologiedesign und bieten eine hervorragende VCEsat- und Schaltgeschwindigkeit sowie eine niedrige Gate-Ladung.Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen 

  ● FS Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient 

  ● Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat), typ = 1,9 V bei IC = 100 A und Tj = 25 °C 

  ● Extrem verbesserte Lawinenfähigkeit 


3 Anwendungen 

  • Schweißen 

  • UPS 

  • Dreistufiger Wechselrichter 

  • AC- und DC-Servoantriebsverstärker




    Typ VCE Ic VCEsat,Tj=25℃ Tjop Paket
    DGA100H120M2T 1200V 100A (Tj=100℃) 1,9 V (typisch) 175℃ 34MM
Vorherige: 
Nächste: 
100A 1200V Halbbrückenmodul

Produktkategorie

Neueste Nachrichten

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Melden Sie sich für unseren Newsletter an
  • Machen Sie sich bereit für die Zukunft.
    Melden Sie sich für unseren Newsletter an, um Updates direkt in Ihren Posteingang zu erhalten
    Abonnieren
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com