Stok Durumu: | |
---|---|
Adet: | |
MUR1070
WXDH
10A 700V Hızlı kurtarma diyotu
1 Açıklama
10A, 700V Ultra Hızlı Diyotlar Düşük ileri voltaj düşüşüne sahiptirler ve düzlemsel, silikon nitrürle pasifleştirilmiş, iyon yerleştirilmiş, epitaksiyel yapıya sahiptirler.Bu cihazlar, çeşitli anahtarlamalı güç kaynaklarında ve diğer güç anahtarlama uygulamalarında enerji yönlendirme/sıkma diyotları ve doğrultucular olarak kullanılmak üzere tasarlanmıştır.Düşük depolanmış şarjları ve yumuşak kurtarma özelliklerine sahip ultra hızlı geri kazanımları, birçok güç anahtarlama devresindeki çınlamayı ve elektrik gürültüsünü en aza indirir, böylece anahtarlama transistöründeki güç kaybını azaltır TO-220F, üç terminalin tümünden harici soğutucuya 2000V RMS olarak derecelendirilmiş yalıtım voltajı sağlar.
2 Özellikler
Düşük güç kaybı,
yüksek verimlilik Düşük ileri gerilim,
yüksek akım kapasitesi Yüksek dalgalanma kapasitesi
Süper hızlı iyileşme süreleri
yüksek voltaj
3 Uygulama
Anahtarlamalı Güç Kaynağı
Güç Anahtarlama Devreleri
Genel Amaçlı
VBR | VF(tek)(MAKS) | IF(AV)(tek) |
700V | 1.6V | 10 A |
10A 700V Hızlı kurtarma diyotu
1 Açıklama
10A, 700V Ultra Hızlı Diyotlar Düşük ileri voltaj düşüşüne sahiptirler ve düzlemsel, silikon nitrürle pasifleştirilmiş, iyon yerleştirilmiş, epitaksiyel yapıya sahiptirler.Bu cihazlar, çeşitli anahtarlamalı güç kaynaklarında ve diğer güç anahtarlama uygulamalarında enerji yönlendirme/sıkma diyotları ve doğrultucular olarak kullanılmak üzere tasarlanmıştır.Düşük depolanmış şarjları ve yumuşak kurtarma özelliklerine sahip ultra hızlı geri kazanımları, birçok güç anahtarlama devresindeki çınlamayı ve elektrik gürültüsünü en aza indirir, böylece anahtarlama transistöründeki güç kaybını azaltır TO-220F, üç terminalin tümünden harici soğutucuya 2000V RMS olarak derecelendirilmiş yalıtım voltajı sağlar.
2 Özellikler
Düşük güç kaybı,
yüksek verimlilik Düşük ileri gerilim,
yüksek akım kapasitesi Yüksek dalgalanma kapasitesi
Süper hızlı iyileşme süreleri
yüksek voltaj
3 Uygulama
Anahtarlamalı Güç Kaynağı
Güç Anahtarlama Devreleri
Genel Amaçlı
VBR | VF(tek)(MAKS) | IF(AV)(tek) |
700V | 1.6V | 10 A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Aralık 2004'te, Jiangsu Eyaleti, Wuxi şehri, Xinwu Bölgesi, Shuofang, Zhongtong Doğu Yolu, No. 88'de kuruldu.15000 m2'lik bir alanı kaplamaktadır.Kayıtlı sermaye 81,5 milyon yuan'dır.Yıllık 500 milyon güç üretim hattına sahiptir.
Aralık 2004'te kurulan Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., Jiangsu Eyaleti, Wuxi Şehri, Xinwu Bölgesi, Shuofang Kasabası, Doğu Zhongtong Yolu, No. 88'de bulunmaktadır.15.000 metrekarelik alanı ve 81.50 milyon yuan kayıtlı sermayesi ile yüksek teknolojili bir kurumsal ana daldır.
Aralık 2004'te kurulan Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., Jiangsu Eyaleti, Wuxi Şehri, Xinwu Bölgesi, Shuofang Kasabası, Doğu Zhongtong Yolu, No. 88'de bulunmaktadır.15.000 metrekarelik alanı ve 81.50 milyon yuan kayıtlı sermayesi ile yüksek teknolojili bir kurumsal ana daldır.
Aralık 2004'te kurulan Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., Jiangsu Eyaleti, Wuxi Şehri, Xinwu Bölgesi, Shuofang Kasabası, Doğu Zhongtong Yolu, No. 88'de bulunmaktadır.15.000 metrekarelik alanı ve 81.50 milyon yuan kayıtlı sermayesi ile yüksek teknolojili bir kurumsal ana daldır.
Aralık 2004'te kurulan Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., Jiangsu Eyaleti, Wuxi Şehri, Xinwu Bölgesi, Shuofang Kasabası, Doğu Zhongtong Yolu, No. 88'de bulunmaktadır.15.000 metrekarelik alanı ve 81.50 milyon yuan kayıtlı sermayesi ile yüksek teknolojili bir kurumsal ana daldır.
Aralık 2004'te kurulan Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., Jiangsu Eyaleti, Wuxi Şehri, Xinwu Bölgesi, Shuofang Kasabası, Doğu Zhongtong Yolu, No. 88'de bulunmaktadır.15.000 metrekarelik alanı ve 81.50 milyon yuan kayıtlı sermayesi ile yüksek teknolojili bir kurumsal ana daldır.