Ketersediaan: | |
---|---|
Kuantiti: | |
MUR1070
WXDH
10A 700V Diod pemulihan pantas
1 Penerangan
Diod Ultrafast 10A, 700V Mereka mempunyai penurunan voltan ke hadapan yang rendah dan adalah binaan satah, silikon nitrida dipasifkan, ditanam ion, pembinaan epitaxial.Peranti ini bertujuan untuk digunakan sebagai diod stereng/pengapit tenaga dan penerus dalam pelbagai bekalan kuasa pensuisan dan aplikasi pensuisan kuasa lain.Caj tersimpan rendah dan pemulihan ultrapantas dengan ciri pemulihan lembut meminimumkan deringan dan hingar elektrik dalam banyak litar pensuisan kuasa, sekali gus mengurangkan kehilangan kuasa dalam transistor pensuisan TO-220F menyediakan voltan penebat berkadar pada 2000V RMS daripada ketiga-tiga terminal ke heatsink luaran.
2 Ciri
Kehilangan kuasa yang rendah,
kecekapan tinggi Voltan hadapan rendah,
keupayaan arus tinggi Kapasiti lonjakan tinggi
Masa pemulihan yang sangat pantas
voltan tinggi
3 Aplikasi
Bekalan Kuasa Pensuisan
Litar Pensuisan Kuasa
Tujuan Umum
VBR | VF(tunggal)(MAX) | IF(AV)(single) |
700V | 1.6V | 10A |
10A 700V Diod pemulihan pantas
1 Penerangan
Diod Ultrafast 10A, 700V Mereka mempunyai penurunan voltan ke hadapan yang rendah dan adalah binaan satah, silikon nitrida dipasifkan, ditanam ion, pembinaan epitaxial.Peranti ini bertujuan untuk digunakan sebagai diod stereng/pengapit tenaga dan penerus dalam pelbagai bekalan kuasa pensuisan dan aplikasi pensuisan kuasa lain.Caj tersimpan rendah dan pemulihan ultrapantas dengan ciri pemulihan lembut meminimumkan deringan dan hingar elektrik dalam banyak litar pensuisan kuasa, sekali gus mengurangkan kehilangan kuasa dalam transistor pensuisan TO-220F menyediakan voltan penebat berkadar pada 2000V RMS daripada ketiga-tiga terminal ke heatsink luaran.
2 Ciri
Kehilangan kuasa yang rendah,
kecekapan tinggi Voltan hadapan rendah,
keupayaan arus tinggi Kapasiti lonjakan tinggi
Masa pemulihan yang sangat pantas
voltan tinggi
3 Aplikasi
Bekalan Kuasa Pensuisan
Litar Pensuisan Kuasa
Tujuan Umum
VBR | VF(tunggal)(MAX) | IF(AV)(single) |
700V | 1.6V | 10A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. telah ditubuhkan pada Disember 2004, terletak di No. 88, Jalan Timur Zhongtong, Shuofang, Daerah Xinwu, bandar Wuxi, Wilayah Jiangsu.Ia meliputi kawasan seluas 15000m2.Modal berdaftar ialah 81.5 juta yuan.Ia mempunyai barisan pengeluaran tahunan sebanyak 500 juta kuasa de
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. yang ditubuhkan pada Disember 2004, terletak di No. 88, Jalan Zhongtong Timur, Bandar Shuofang, Daerah Xinwu, Bandar Wuxi, Wilayah Jiangsu.Dengan keluasan 15,000 meter persegi dan modal berdaftar sebanyak 81.50 juta yuan, ia adalah jurusan perusahaan berteknologi tinggi
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. yang ditubuhkan pada Disember 2004, terletak di No. 88, Jalan Zhongtong Timur, Bandar Shuofang, Daerah Xinwu, Bandar Wuxi, Wilayah Jiangsu.Dengan keluasan 15,000 meter persegi dan modal berdaftar sebanyak 81.50 juta yuan, ia adalah jurusan perusahaan berteknologi tinggi
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. yang ditubuhkan pada Disember 2004, terletak di No. 88, Jalan Zhongtong Timur, Bandar Shuofang, Daerah Xinwu, Bandar Wuxi, Wilayah Jiangsu.Dengan keluasan 15,000 meter persegi dan modal berdaftar sebanyak 81.50 juta yuan, ia adalah jurusan perusahaan berteknologi tinggi
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. yang ditubuhkan pada Disember 2004, terletak di No. 88, Jalan Zhongtong Timur, Bandar Shuofang, Daerah Xinwu, Bandar Wuxi, Wilayah Jiangsu.Dengan keluasan 15,000 meter persegi dan modal berdaftar sebanyak 81.50 juta yuan, ia adalah jurusan perusahaan berteknologi tinggi
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. yang ditubuhkan pada Disember 2004, terletak di No. 88, Jalan Zhongtong Timur, Bandar Shuofang, Daerah Xinwu, Bandar Wuxi, Wilayah Jiangsu.Dengan keluasan 15,000 meter persegi dan modal berdaftar sebanyak 81.50 juta yuan, ia adalah jurusan perusahaan berteknologi tinggi