Disponibilidad: | |
---|---|
Cantidad: | |
MUR1070
WXDH
Diodo de recuperación rápida 10A 700V
1. Descripción
Diodos ultrarrápidos de 10 A y 700 V. Tienen una baja caída de voltaje directo y son de construcción epitaxial plana, pasivada con nitruro de silicio, implantada con iones.Estos dispositivos están diseñados para usarse como diodos de dirección/sujeción de energía y rectificadores en una variedad de fuentes de alimentación conmutadas y otras aplicaciones de conmutación de energía.Su baja carga almacenada y recuperación ultrarrápida con características de recuperación suave minimizan el timbre y el ruido eléctrico en muchos circuitos de conmutación de energía, reduciendo así la pérdida de energía en el transistor de conmutación TO-220F que proporciona un voltaje de aislamiento nominal de 2000 V RMS desde los tres terminales hasta el disipador térmico externo.
2 características
Baja pérdida de energía,
alta eficiencia Bajo voltaje directo,
capacidad de alta corriente Alta capacidad de sobretensión
Tiempos de recuperación súper rápidos
alto voltaje
3 aplicaciones
Fuente de alimentación conmutada
Circuitos de conmutación de energía
Propósito general
VBR | VF (simple) (MÁX.) | SI(AV)(único) |
700V | 1,6 V | 10 A |
Diodo de recuperación rápida 10A 700V
1. Descripción
Diodos ultrarrápidos de 10 A y 700 V. Tienen una baja caída de voltaje directo y son de construcción epitaxial plana, pasivada con nitruro de silicio, implantada con iones.Estos dispositivos están diseñados para usarse como diodos de dirección/sujeción de energía y rectificadores en una variedad de fuentes de alimentación conmutadas y otras aplicaciones de conmutación de energía.Su baja carga almacenada y recuperación ultrarrápida con características de recuperación suave minimizan el timbre y el ruido eléctrico en muchos circuitos de conmutación de energía, reduciendo así la pérdida de energía en el transistor de conmutación TO-220F que proporciona un voltaje de aislamiento nominal de 2000 V RMS desde los tres terminales hasta el disipador térmico externo.
2 características
Baja pérdida de energía,
alta eficiencia Bajo voltaje directo,
capacidad de alta corriente Alta capacidad de sobretensión
Tiempos de recuperación súper rápidos
alto voltaje
3 aplicaciones
Fuente de alimentación conmutada
Circuitos de conmutación de energía
Propósito general
VBR | VF (simple) (MÁX.) | SI(AV)(único) |
700V | 1,6 V | 10 A |
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. se estableció en diciembre de 2004 y está ubicada en el número 88 de Zhongtong East Road, Shuofang, distrito de Xinwu, ciudad de Wuxi, provincia de Jiangsu.Tiene una superficie de 15000m2.El capital social es de 81,5 millones de yuanes.Tiene una línea de producción anual de 500 millones de energía de
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fundada en diciembre de 2004, está ubicada en el n.° 88, East Zhongtong Road, ciudad de Shuofang, distrito de Xinwu, ciudad de Wuxi, provincia de Jiangsu.Con una superficie de 15.000 metros cuadrados y un capital registrado de 81,50 millones de yuanes, es una empresa importante de alta tecnología.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fundada en diciembre de 2004, está ubicada en el n.° 88, East Zhongtong Road, ciudad de Shuofang, distrito de Xinwu, ciudad de Wuxi, provincia de Jiangsu.Con una superficie de 15.000 metros cuadrados y un capital registrado de 81,50 millones de yuanes, es una empresa importante de alta tecnología.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fundada en diciembre de 2004, está ubicada en el n.° 88, East Zhongtong Road, ciudad de Shuofang, distrito de Xinwu, ciudad de Wuxi, provincia de Jiangsu.Con una superficie de 15.000 metros cuadrados y un capital registrado de 81,50 millones de yuanes, es una empresa importante de alta tecnología.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fundada en diciembre de 2004, está ubicada en el n.° 88, East Zhongtong Road, ciudad de Shuofang, distrito de Xinwu, ciudad de Wuxi, provincia de Jiangsu.Con una superficie de 15.000 metros cuadrados y un capital registrado de 81,50 millones de yuanes, es una empresa importante de alta tecnología.
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd., fundada en diciembre de 2004, está ubicada en el n.° 88, East Zhongtong Road, ciudad de Shuofang, distrito de Xinwu, ciudad de Wuxi, provincia de Jiangsu.Con una superficie de 15.000 metros cuadrados y un capital registrado de 81,50 millones de yuanes, es una empresa importante de alta tecnología.